《LED生产工艺及产品介绍-》.pdfVIP

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2015-11-09 发布于河南
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2013/11/7 2 2013/11/7 3 外延生长芯片前工艺研磨、切割检测入库点测、分选 2013/11/7 4 2013/11/7 5 • 外延生长：MO源及NH 由载气传输到反应室，以质量流量计控制气体 3 流量，反应物进入反应室后经载气传输到衬底表面反应形成外延薄膜。 • 主要设备有MOCVD、活化炉、PL 、X-Ray、PR、镭射打标机等。 2013/11/7 6 P型InGaN-金属接触层 P GaN Mg 型：多量子阱有源区（InGaN/GaN ） N型GaN : Si GaN缓冲层蓝宝石衬底 2013/11/7 7 2013/11/7 8 芯片工艺一般分为前工艺、后工艺、点测分选三部分一、前工艺前工艺主要工作就是在外延片上做成一颗颗晶粒。简单的说就是Chip On Wafer的制程。利用光刻机、掩膜版、ICP、蒸镀机等设备制作图形，在一个2英寸的 wafer片上做出几千~上万颗连在一起的晶粒。 2013/11/7 9 目前的芯片主要有：小功率：07*09mil、08*12mil、08*15mil 12*13mil、10*16mil… 背光源：10*23mil… 高功率：45*45mil… 2013/11/7 10 • 设备简介：黄光室：匀胶机、加热板、曝光机、显影台、金相显微镜、甩干机、台阶仪清洗室：有机清洗台、酸性清洗台、撕金机、扫胶机、甩干机蒸镀室：ICP、ITO蒸镀机、合金炉管、Pad蒸镀机、PECVD、扫胶机、手动点测机、光谱仪 2013/11/7