《SiOx（x=1.3）薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究》.pdf

物 理 学报 ActaPhys．Sin．Vo1．63，No．16(2014) 167201 SiO (=1．3)薄膜的优化阻变特性与 退火温度的关系探究冰 任圣 马忠元十 江小帆 王越飞 夏国银 陈坤基 黄信凡 徐骏 徐岭 李伟 冯端 (南京大学电子科学与工程学院，固体微结构物理国家重点实验室，南京210093) (2014年4月 16日收到；2014年5月30日收到修改稿) 采用电子束蒸发技术在si衬底上制备了亚氧化硅SiO (X=1．3)薄膜，研究了不同温度热退火处理的 SiO 薄膜作为阻变层的ITO／SiO ／Si／A1结构的阻变特性．研究发现，在电极尺寸相同的条件下，随着退火温 度 的增加，该结构的高低阻态 比显著提高，最高可达 10。．x射线光电子能谱和 电子顺磁共振能谱的分析表明， 不同退火温度下形成的不同价态的硅悬挂键是低阻态下细丝通道的主要来源．椭偏仪的测试结果表 明，经过 热退火处理的SiO 薄膜折射率的增大是导致高阻态下器件电阻增大的原因． 关键词：SiO 薄膜，阻变特性，硅悬挂键，热处理 PACS：72．60．+g，72．20．一i，73．40．Rw DOI：10．7498／aps．63．167201 力和寿命．而且由于其结构简单、单元尺寸小、读写 1 引 言 速度快、数据保持久而成为新型存储器的有力候选 者 [6-s]． 非易失性存储器 fNVM1由于其具有断电存储 阻变存储器材料发展到今天，按照介质层材料 的特性而在未来的存储器中具有潜在的应用前景， 的种类可大致分为 以下四种：一是二元过渡金属 目前应用最广泛的NVM是闪速存储器 [1】．然而 氧化物，如ZnO[91，TiO2【ol；二是具有钙钛矿结构 闪速存储器是通过 向浮栅 中注入或拉出电子来实 的金属氧化物，如SrZrO3[11_；三是硫系化合物，如 现 “写”或 “擦”，在进一步减小浮栅结构 中的关键 Ag2S[12]GeSe[。]；四是硅基材料，如SiO。【一 ， ， 部分f如隧穿氧化层、栅间绝缘层)工艺尺寸的过程 SiN。[20]非晶Si2[】等．其中硅基SiO 材料因其制 ， 中，遇到了闪速存储器耐久性方面的挑战．面临着 各工艺与互补金属氧化物半导体技术完全兼容， 尺寸的瓶颈，如何在提高集成度 的同时保持稳定 在成本控制等方面 占有一定的优势，很有希望应 的存储特性成为了现阶段 国际存储器领域迫切需 用到商业阻变存储器 中，因此，SiO 阻变特性研 要解决的一个问题 2[-5]．近年来，在新型的NVM 究逐渐成为阻变存储器材料领域 内的一个热点． 中，阻变存储器是一类基于电阻可变的材料的存储 对SiO 材料的研究大致可分为 以下两类：一类是 器 采用器件所处的不同物理状态 f如高阻态和 基于可编程金属细丝通道阻变机理，Huang等 [18] 低阻态1存储信息，通过施加偏压实现不同物理状 报道了Cu／SiO。／w结构的单极型阻变特性，分析 态之间的切换，大幅度增加 了存储器的信息保存能 认为 Cu导 电通道在阻变过程 中扮演着重要的角 }国家重点基础研究发展计划 (批准号：2010CB934402，2013CB632101)、国家 自然科学基金 (批准号60976001)、 中央高等学校基本科研基金 (批准号