太阳能电池研究.docVIP

! 引言 目前全球年能源消耗量仅相当于太阳 6% 分钟 内投射到地球表面的能量- 太阳能取之不尽, 用之不 竭, 因此研究和开发太阳能成为我国 十一·五 规 划和国家中长期科学发展规划的优选主题- 太阳能 电池在航天, 通讯及微功耗电子产品领域中已占据 了不可替代的位置, 但作为社会整体能源结构的组 成部分所占比例尚不足 X , 其主要原因是广泛使 用的晶体硅太阳能电池成本高, 限制了进一步推广因此, $% 世纪 5% 年代中后期以来, 自 发展了薄膜型 太阳 电 池- 在 各 种 薄 膜 型 太 阳 能 电 池 中, 铟 硒 铜 ( 7.839J$ , 789) 薄膜太阳能电池由于材料有近似最 佳的光学能隙 8 C ) 吸收率高 ( , (% Y 2M) 抗辐射能 , 力强和长期的稳定性等特点, 被国际上称为最有希 前沿进展 如, 美国可再生能源实验室采用多元素共蒸发法制 备的 /0G1 薄膜电池的转化效率已经达到 .8 6A , 是薄膜太阳能电池中的最高纪录 但多元素共蒸发 法的缺点是重复性不好, 而且难以保证大面积上薄 膜成分的均匀性 率最高超过 .7A 本课题组也曾采用电沉积法研究 [K, 制备了 /01 薄膜 L] 结果表明, 电沉积法难以控制 /01 薄膜的成分满足化学当量, 电池的转换效率也 池的产业化始于 67 世纪 87 年代, 以美国 1!9(( 1:; (*3, 德国 3! 1:(*3 和日本 1!:%* 1:(*3 为代表的许 多大公司都致力于开展将 /01 薄膜电池规模化推广 的研究, 并已相继完成中试线的建设 国内研究 /01 薄膜电池的单位还较少, 研究水平与国际相比存在 着明显的差距 南开大学光电子薄膜器件与技术研 究所高技术研究发展计划承担了国家重点课题 铜 铟硒太 阳 能 薄 膜 电 池 实 验 平 台 与 中 试 线 .7 = , 填补了 .7+6 集成电池组件转换效率达到 ? @ A , [.] 国内空白 最近, 安泰科技与德国 B3293C, 公司 难以有很大提高 溅射合金层硒化法是在基底上溅射沉积铜铟合 金层结构, 然后在 M6 19 或 19 的气氛中硒化, 从而制 备出 /01 薄膜 美国 1)99,C 1:(*3 现 1!9(( 1:(*3) ( 公 制成了转化效率为 司使用 M6 19 气氛硒化合金层, .K .A 的小面积太阳电池, K6 的太阳电池组件 7 的转换效率达到了 .7 KA 本课题组也曾采用溅射 [N] 合金层硒化法研究制备了 /01 薄膜 但是, 如图 . 所示, 薄膜电池是多层膜结构 /01 无论采用以上三种方法中的任何一种方法, 在电池多 层膜的制备过程中都需要多次进出真空室, 而不能在 不破坏真空的条件下一次完成 /01 薄膜电池器件的 制备 例如, 铜铟合金层需要进行硒化处理, 缓冲 /21 层需采用化学水浴法制备等 因此, 如何使 /01 薄膜 电池器件的制备工艺简单化, 摸索大面积和低成本的 制备工艺, /01 薄膜电池产业化的关键 是 [?] 最近, 1+!) 等人提出射频溅射法直接制备 合作, 引进通过连续电沉积工艺和非真空硫化方法 薄膜电池的技术, 在成本, 技术 制备铜铟硫 (/0,16 ) 和适用性方面具有较大的优势, 并得到了国家科技 部的支持 本文提出了影响 /01 薄膜电池规模化推广的几 个基础问题, 包括: 射频溅射法直接制备 /01 薄膜, 省略硒化工艺的问题; D,B 替代 /21 作为 /01 薄膜 电池的缓冲层材料的问题和 E* F 离子对 /01 薄膜及 电池性能的作用及机制问题 研究这几个基础问题, 可以为规模化推广 /01 薄膜电池探索新的道路, 为 推动和促进 /01 薄膜电池产业化的发展作贡献 这 也是我们赶超国际先进水平, 自主创新, 发展 /01 薄 膜电池的重要途径之一 /01 薄膜, 从而可以省略硒化工艺 这样既简化了制 备过程, 又能保证大面积薄膜的均匀性 通过研究射 频溅射工艺参数 (如功率, 偏压, 工作气压和生长温度 等) /01 薄膜的成分和结构的关系, /01 薄膜的 与 使 成分基本符合化学当量, 结构为单一的黄铜矿相 图 [?] 6 给出了射频溅射法制备的 /01 薄膜的成分与衬底 温度的关系 由图可见, 射频溅射法在适当的衬底温 度下, 可以制备出成分符合化学当量的 /01 薄膜 实现射频溅射法直接制备 /01 吸收层, 省略硒 化工艺, 就可以在真空室内不破坏真空的条件下, 在 钠碱玻璃基底上, 分别采用射频, 直流溅射和蒸发法 依次沉积 O: