IGBT静态特性与开关特性.pdfVIP

IGBT 应用技术 IGBT ，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由 MOSFET （输入级）和PNP 晶体管（输 出级）复合而成的一种器件，既有 MOSFET 器件驱动功 率小和开关速度快的特点（控制 和响应），又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点（功率级较为耐用），频率特性介于 MOSFET 与功率晶体管之间，可正常 工作于几十 kHz 频率范围内。 理想等效电路与实际等效电路如图所示： IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性）。动态特性 的简易过程可从下面的表格和图形中获取： IGBT 的开通过程 IGBT 在开通过程中，分为几段时间 1. 与 MOSFET 类似的开通过程，也是分为三段的充电时间 2. 只是在漏源 DS 电压下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和过程中增加了一 段延迟时间。 IGBT 应用技术 在上面的表格中，定义了了：开通时间 Ton ，上升时间 Tr 和 Tr.i 除了这两个时间以外，还有一个时间为开通延迟时间 td.on:td.on=Ton-Tr.i IGBT 在关断过程 IGBT 在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。 第一段是按照MOS 管关断的特性的 第二段是在 MOSFET 关断后，PNP 晶体管上存储的电荷难以迅速释放，造成漏极电流较长 的尾部时间。 在上面的表格中，定义了了：关断时间Toff，下降时间Tf 和Tf.i 除了表格中以外，还定义trv 为DS 端电压的上升时间和关断延迟时间td （off ）。 漏极电流的下降时间Tf 由图中的t （f1 ）和t （f2 ）两段组成，而总的关断时间可以 称为toff=td （off ）+trv 十t （f ），td （off ）+trv 之和又称为存储时间。 从下面图中可看出详细的栅极电流和栅极电压，CE 电流和CE 电压的关系： 从另外一张图中细看MOS 管与IGBT 管栅极特性可能更有一个清楚的概念： 开启过程 IGBT 应用技术 关断过程 尝试去计算IGBT 的开启过程，主要是时间和门电阻的散热情况。 C.GE 栅极-发射极电容 C.CE 集电极-发射极电容 C.GC 门级-集电极电容（米勒电容） Cies =CGE+CGC 输入电容 Cres =CGC 反向电容 Coes =CGC+CCE 输出电容 IGBT 应用技术 根据充电的详细过程，可以下图所示的过程进行分析 对应的电流可简单用下图所示： 第1 阶段：栅级电流对电容CGE 进行充电，栅射电压VGE 上升到开启阈值电压VGE （th ）。 这个过程电流很大，甚至可以达到几安培的瞬态电流。在这个阶 段，集电极是没有电流的， 极电压也没有变化，这段时间也就是死区时间，由于只对 GE 电容充电，相对来说这是比较 容易计算的，由于我们采用电压源供电，这段 曲线确实是一阶指数曲线。 第 2 阶段：栅极电流对 Cge 和 Cgc 电容充电，IGBT 的开始开启的过程了，集电极电流 开始增加，达到最大负载电流电流 IC ，由于存在二极管的反向恢复电流，因此这个过程与 MOS 管的过程略有不同，同时栅极电压也达到了米勒平台电压。第 3 阶段：栅极电流对 Cge 和 Cgc 电容充电，这个时候 VGE 是完全不变的，值得我们注意的是 Vce 的变化非 常快。 IGBT 应用技术 第 4 阶段：栅极电流对 Cge 和 Cgc 电容充电，随着 Vce 缓慢变化成稳态电压，米勒电 容也随着电压的减小而增大。 Vge 仍旧维持在米勒平台上。 第 5 阶段：这个时候栅极电流继续对 Cge 充电， Vge 电压开始上升，整个 IGBT 完全打 开。 我的一个同事在做这个将整个过程等效为一阶过程。如果以这个电路作为驱动电路的话： 驱动的等效电路可以表示为：