《基于Matlab的吸收电路对IGBT电路功耗影响的研究》.pdfVIP

电气传动 2014年 第44卷 第7期 ELECTRICDRIVE 2014Vo1．44No．7 基于Matlab的吸收电路对IGBT 电路功耗影响的研究 王振雷，董长双 (太原理工大学机械工程学院，山西太原030024) 摘要 ：详细研究了6种基本吸收电路分别对IGBT电路的功耗影响情况。通过利用Matlab7．1软件对这6 种吸收电路分别在不同的电流等级(50A，100A，200A，300A)情况下的IGBT(4种第5代IGBT模块)电路上进 行参数仿真，并对仿真结果进行计算分析，给出了仿真波形和数据表，同时为4种IGBT模块做了最优吸收电路 拓扑选择。比较分析后，RC吸收电路和RCD吸收电路对IGBT电路功耗影响最大，其次为c吸收电路，放电抑 制型RCD吸收电路A，CD吸收电路和LCD吸收电路影响最小。 关键词：绝缘栅双极型晶体管；吸收电路；仿真；功耗 ；结温 中图分类号：TM402 文献标识码 ：A studyofInfluenceofAbsorberCircuitsforIGBT PowerDissipationBasedonMaflab WANGZhen—lei，DONGChang—shuang (SchoolofMechanicalEngineering，Taiyuan ofTechnology， Ta@uan030024，Shanxi，China) Abstract：A detailedstudyofrespectiveinfluenceofsixtypesofbasicabsorbercircuitsforIGBTcircuitpower dissipationwasshowed．TakingtheMatlab7．1software，parametersimulationwascarriedoutfortheIGBTmodules fourtypesofthefifthgenerationIGBTmodules)circuitswitheachtypeofbasicabsorbercircuitsindifferentcurrent leve|s(50A，100A，200A，300A)respectively，andthesimulationresultswascalculatedandnaalyzed．The simulationwaveofrmsandthedatetablewaspresented，andrespectivelymadetheoptimalabsorbercircuittopology selectionofrfourkindsofIGBTmodules．Bycomparisonandanalysisofrcalculationresults，theIGBTcircuitwithRC absorbercircuitandwithRCD absorbercircuitcangeneratemorepowerdissipationthantheIGBTcircuitwithother absorbercircuits；thepowerdissipationoftheIGBTcircuitwithCabsorbercircuitisrelativelylowerthantheformer； thepowerdissipationoftheIGBTcircuitwithdischargeinhibitiontypeRCDbasorbercircuitAandwithCD absorber circuitandwithLCDabsorbercircuitisthelowest． Keywords：insulatedgatebipolartransistor(IGBT)；absorbercircuit；simulation；powerdissipation；junction