新微波电路、微波技术及天线 教学课件 范寿康 第9章.pptVIP

* * 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 第9章 单片微波集成电路 9.1 单片微波集成电路的元 件和材料 9.1.1基片 9.1.2无源元件 9.1.3有源器件 9.2单片微波集成电路的设计 9.2.1单片微波信成电路设计程序流程图 9.2.2实际单片微波集成电路举例 9.3单片微波集成电路实际 应用举例 9.3.1全图态中功率宽带放大器 9.3.2Ｘ波段的收－支组件模块 １.混合微波集成电路(HMIC) 以微带线为例，它以微带线上的金属导电层作为导体和传输线，将分立元件电阻、电容、二极管、晶体管焊接在基片上，这种HMIC最初发展于45世纪65年代，至今仍是一种很灵活有效的电路形式。 　 　 ２.单片微波集成电路(MMIC) 是第三代微波电路。它是把微波无源元件、有源器件、传输线和互连线一起制作在一片半导体基片上，构成具有完整功能的电路，在18GHz以上甚至毫米波段均可采用。1975年国外已制成单片GaAsFET低噪声放大器，1980年以后，MMIC的发展很快，但由于目前 MMIC研制成本很高，制作工艺复杂，故只应用于对体积重量要求苛刻的军事装备及生产批量大的产品中，例如相控雷达的收发单元或卫星电视广播接收机高频头等。一般MMIC比HMIC的带宽要宽一些，还具有尺寸小、重量轻、设计灵活、易于改善性能等优点。从今后的发展趋势看，MMIC将成为微波电路的主要形式。 微波集成电路可分为两类： 本章提要 9.1 单片微波集成电路的元件和材料 9.1.1基片 9.1.2无源元件 MMIC的基片同时兼有两种功能：一是作为半导体有源器件的原材料；二是作为微波匹配电路的支撑体。GaAs是最常用的材料，在低频情况下，有时也可以用Si。MMIC的制作是在半绝缘的GaAs基片表面局部区域掺杂构成有源器件（FET或二极管），而GaAs基片其余表面则作为微带匹配电路和无源元件载体。由于GaAs有源层电子迁移率比Si高6倍，而作为基片时的电阻率则高几个数量级，因此用GaAs制作的MMIC性能必然远优于Si。但需说明的是，GaAs电阻率比AL2O3要低许多，因此微波在GaAs基片中的介质损耗不能忽略，尽管 MMIC尺寸小，介质损耗不太严重，但是在电路设计中必须予以考虑。 在 MMIC中不仅使用分布参数传输线元件，还包括了集总参数的电容、电感和电阻。至于偏置电路，其元件也必须用集总参数的平面元件。在频率较高时，集总参数的电感、电容和电阻不能简单地当成理想的L、R和C，而应该考虑把它们的寄生参量当成一个电网络来处理 。 1.传输线元件 在MMIC中常用的分布参数元件是由微带线和共面线构成，如图9-1所示。 a）微带线 b）槽线 c）共面线 常用的电容结构如图9-2所示。 a）隙缝电容 b）交叉电容 c）叠层电容 d）肖特基结电容 2.电容 图9-1传输线 图9-2MMIC电容 3.电感 4.电阻 集中电感器有直线电感、折线电感、单环电感和多圈电感等几种，如图9-3所示。其中直线电感和单环电感的尺寸小、结构简单，电感量大约在几纳亨（nH）以下。 a）直线电感 b）折线电感 c）单环电感 d）多圈电感。 用于 MMIC的电阻主要有薄膜电阻和体电阻两类。在选择类型和进行设计时要考虑允许的电流密度、功率、温度系数和可靠性。薄膜电阻材料一般为Ti、NiCr、Ta2N、CrSiO和AaAs。 图9-3MMIC电感 图9-4平面晶体管结构 9.1.3有源器件 MMIC的有源器件和HMIC中常用的晶体管类型基本一样。三极管几乎都采用FET，也常使用双栅FET（DGFET）。二极管有肖特基势垒管、变容管、体效应管、PIN管等。在MMIC中由于各种晶体管都没有管壳封装，缩短了元件之间的互连线，减少了焊点，因而可用的极限频率提高、工作频带加宽、尺寸减小、可靠性改善。 FET是高频模拟电路和高速数字电路的主要元件，肖特基势垒二极管是二极管中的主要元件。肖特基势垒二极管和FET的平面结构示意图如图9-4所示。 （a）肖特基势垒二极管 b）场效应晶体管 ） 9.2单片微波集成电路的设计 9.2.1单片微波信成电路设计程序流程图 图9-5MMIC设计程序流程图 9.2.2实际单片微波集成电路举例 １.毫米波平衡混频器 图9-7a是X波段低噪声放大器，其电路见图9-7b，它包括3只FET,10只MIN电容、9段微带线和2只GaAs电 阻，芯片面积 0.85mmx2.1mm。 图9-6是毫米波平衡混频器放大示意图，两只肖特基二极管制作在共面线的两槽缝上，信号和本振由共面线输入口引入。工作频率为75~110GHz，变频损耗小于9dB。