大功率半导体激光加工光致等离子体折射效应.pdfVIP

第39卷 第4期 激 光 技 术 Vo1．39，No．4 2015年 7月 LASER TECHN0LOGY July，2015 文章编号：1001—3806(2015)04—0557—05 大功率半导体激光加工光致等离子体折射效应 潘吉兴，唐霞辉 ，盛利民，钟理京，许成文 (华中科技大学 光学与电子信息学院，武汉430000) 摘要：为了研究大功率半导体激光加工过程中，光致等离子体对激光光束显著的屏蔽作用 ，以波长为976nm、 光斑尺寸为0．5mm×lmm、最大功率为4kW 的半导体激光加工系统为实验基础，采用了与实际相符的光致等离子 体电子密度数学模型和几何光学ABCD矩阵算法 ，从吸收和折射两方面对光致等离子体的屏蔽作用进行了理论分 析和实验研究，得到了在光致等离子体电子密度 17,≤1．0×10 ／cm 的条件下，光致等离子体的折射效应才是引起 半导体激光光束屏蔽的主要原因这一结果。结果表明，光致等离子体改变了聚焦光束的形态，使其焦点下移、光斑 变大、能量密度变小，其效果类似于一个非线性梯度折射率的负透镜。 关键词：几何光学；折射效应；ABCD矩阵；光致等离子体 中图分类号：0472 ．3 文献标志码：A doi：10．7510／jgjs．issn．1001—3806．2015．04．029 Refraction effectoflight-inducedplasmaduring high-powerdiodelaserprocessing PANJixing，TANGXiahui，SHENGLimin，ZHoNG L n，g，xU Chengwen (SchoolofOpticalandElectronicInformation，HuazhongUniversityofScienceandTechnology，Wuhan430000，China) Abstract：Inordertosolvethesignificantshieldingeffectoflight—inducedplasmaon laserduringhigh—powerdiode laserprocessing，withthehelp ofthemathematical modelofelectrondensityoflight—inducedplasmaandABCD matrix algorithm ，theshieldingeffectoflight—inducedplasmawasstudiedfrom theview ofabsorptionandrefractionbasedona diodelaserprocessingsystemwitIlwavelengthof976nm．spotsizeof0．5mm ×1mm andthemaximum powerof4kW ．The resultsshowedthatlaserbeam shieldingeffectismainlyduetorefractioneffectoflight．inducedplasmaunderthecondition ofelectrondensityn ≤ 1．0 ×10 ／cm ．Laserbeam shieldingeffectchangeslaserbeam shape，i．e．，makingthelaser focusdown-shift，enlargingthespotandmakingthelaserenergy density smaller．Theeffectofinduced-laserplasmais similra toanegativelenswithnon—lineargradientrefractiveindex． Keywords：geometricalo