CVD法制备SnO2纳米锥-毕业论文.docVIP

分类号： 陕西师范大学学士学位论文 题目：CVD法制备SnO2纳米锥 作 者 单 位 指 导 老 师 作 者 姓 名 专 业 班 级 提 交 时 间 CVD法制备SnO2纳米锥 （陕西师范大学 化学与材料科学学院 陕西 西安 710062） 摘 要: 二氧化锡(SnO2)是一种典型的宽带隙(Eg=3.6 eV, 300 K)的N型半导体材料，在气敏传感器、透明导电薄膜、电池电极等方面应用广泛。因此，制备SnO2不同形貌的纳米结构单元及研究不同形貌的纳米结构单元的相关物理和化学性能受到了人们的极大关注。本文采用化学气相沉积法(CVD)，以SnCl2.2H2O和ZnCl2 的混合物为源物质，置于陶瓷坩埚底部，在马弗炉空气气氛中，600 oC反应，通过控制在600 oC时保温时间的长短和SnCl2.2H2O、ZnCl2比例的变化，在FTO导电玻璃衬底上制备了不同尺寸大小的SnO2纳米锥，并对其进行了SEM、XRDSnO2 纳米锥的生长机理进行了讨论。 关键词： SnO2 化学气相沉积 纳米锥 Abstract：SnO2 is the N type of a kind of breadth band gap(Eg=3.6 eV, 300 K) of typ