新集成电路制造工艺 教学课件 林明祥 封面.pptVIP

15.3.2　双阱BiCMOS工艺239  15.4　砷化镓集成电路241  15.4.1　砷化镓集成电路工艺流程241  15.4.2　主要工艺参数的选取241  13.7　习题210  第14章　器件的可靠性211 14.1　可靠性的基本概念21114.1.1　可靠性的定义21114.1.2　影响可靠性的因素21214.1.3　失效的规律及简单计算21214.2　工艺筛选21514.2.1　工艺筛选目的21514.2.2　工艺筛选总类21514.2.3　工艺筛选项目确定21614.2.4　工艺筛选的注意事项21614.3　可靠性试验21614.3.1　环境试验21714.3.2　寿命试验22014.3.3　特殊试验221 第14章　器件的可靠性211 14.4　半导体器件失效分析22114.4.1　失效分析的目的和步骤22114.4.2　常见的失效模式22214.4.3　失效的原因分析22314.5　提高器件可靠性的措施22614.5.1　在版图设计中提高可靠性22714.5.2　工艺中提高器件可靠性22714.6　习题228 14.1　可靠性的基本概念211  14.1.1　可靠性的定义211  14.1.2　影响可靠性的因素212  14.1.3　失效的规律及简单计算212  14.2　工艺筛选215  14.2.1　工艺筛选目的215  14.2.2　工艺筛选总类215  14.2.3　工艺筛选项目确定216  14.2.4　工艺筛选的注意事项216  14.3　可靠性试验216  14.3.1　环境试验217  14.3.2　寿命试验220  14.3.3　特殊试验221  14.4　半导体器件失效分析221  14.4.1　失效分析的目的和步骤221  14.4.2　常见的失效模式222  14.4.3　失效的原因分析223  14.5　提高器件可靠性的措施226  14.5.1　在版图设计中提高可靠性227  14.5.2　工艺中提高器件可靠性227  14.6　习题228  第15章　ULSI工艺总汇229 15.1　CMOS集成电路22915.2　双极型集成电路(TTL)23415.2.1　标准双极工艺23415.2.2　自对准双极机构23615.2.3　STTL集成电路23715.3　BiCMOS工艺23815.3.1　以CMOS工艺为基础的15.3.2　双阱BiCMOS工艺23915.4　砷化镓集成电路24115.4.1　砷化镓集成电路工艺流程24115.4.2　主要工艺参数的选取241 15.1　CMOS集成电路229  15.2　双极型集成电路(TTL)234  15.2.1　标准双极工艺234  15.2.2　自对准双极机构236  15.2.3　STTL集成电路237  15.3　BiCMOS工艺238  15.3.1　以CMOS工艺为基础的  12.1.4　电渗析原理180  12.1.5　制备去离子水应注意事项181  12.2　废水处理182  12.2.1　废水的来源与特性182  12.2.2　废水处理方法182  12.2.3　废水处理注意事项184  12.3　超纯气体与化学试剂纯度184  12.4　习题185  第13章　组装工艺186 13.1　减薄与划片18613.1.1　背面减薄和蒸金18613.1.2　划片18613.2　装片与烧结18813.2.1　装片所选用材料和要求18813.2.2　工艺过程及原理18913.2.3　装片与烧结的质量要求13.3　内引线焊接工艺19213.3.1　焊接用的引线材料19213.3.2　键合方式19313.3.3　键合质量要求和分析19613.4　表面涂敷19813.5　封装199 第13章　组装工艺186 13.5.1　玻璃封装19913.5.2　金属封装19913.5.3　塑料封装20113.5.4　陶瓷封装20213.5.5　表面安装技术20513.5.6　封装的质量要求和分析20613.6　测试20813.6.1　半导体器件测试20913.6.2　集成电路测试20913.7　习题210 13.1　减薄与划片186  13.1.1　背面减薄和蒸金186  13.1.2　划片186  13.2　装片与烧结188  13.2.1　装片所选用材料和要求188  13.2.2　工艺过程及原理189  13.2.3　装片与烧结的质量要求  13.3　内引线焊接工艺192  13.3.1　焊接用的引线材料192  13.3.2　键合方式193