新模拟电子技术 教学课件 顾海远 主编 第2章 半导体器件基础.pptVIP

本章基本要求 了解半导体的基本知识 熟悉二极管 PN结 、晶体三极管 BJT 、场效应管 FET 的结构、工作原理、主要参数 掌握二极管、BJT、FET的特点、伏安特性及二极管的应用电路及其分析方法。 2.1.2 本征半导体 具有晶体结构的纯净半导体称为本征半导体。晶体通常具有规则的几何形状，在空间中按点阵 晶格 排列。 共价键结构 在本征半导体中，由于原子排列的整齐和紧密，原来属于某个原子的价电子，可以和相邻原子所共有，形成共价键结构。图2-2所示为硅和锗共价键的 平面 示意图。 热激发与载流子 复合、动态平衡 2.1.3 杂质半导体 为了提高其导电能力，应增加载流子的数目，采用先进的工艺，在本征半导体中掺入微量的其它元素（称为掺杂），形成杂质半导体。若掺入微量的五价元素（如磷、砷、锑等），可大大提高自由电子浓度，这种杂质半导体称为N型半导体； 若掺入微量的三价元素（如硼、铟），则可增加空穴数目，这种杂质半导体称为P型半导体。 1 N型半导体 载流子浓度 已知，硅的原子密度为 ，自由电子浓度为 ，若掺入250万分之一的磷，相当于磷原子的密度为 ，常温下磷原子全部电离，所产生的自由电子密度也为 ，可见 比 大100多万倍。所以，在掺入磷原子的本征半导体中，自由电子数目远远大于空穴数目，即自由电子为多数载流子 多子 ，空穴为少数载流子 少子 ，因此称为N型半导体。 由于磷原子提供自由电子，故称为施主 Donor 杂质。 2．P型半导体 2.1.4 PN结 2.1.4 .1 PN结的形成 利用特殊的制造工艺，在一块本征半导体（硅或锗）上，一边掺杂成N型半导体，一边形成P型半导体，这样在两种半导体的交界面就会形成一个空间电荷区，即PN结。 漂移运动 在内电场的作用下向，P区的少子（电子）向N区漂移，N区的少子（空穴）向P区漂移，形成漂移电流。 内电场的形成 在多子扩散到交界面附近时，自由电子和空穴复合，留下不能移动的带电离子，如图2-8所示。这带正、负电的离子形成了空间电荷区的内电场。 PN结的单向导电性 1．PN结外加正向电压 如图2-7所示电路图，P区接电源的正极、N区接电源的负极。空间电荷区变窄，削弱了内电场，“多子”扩散运动增强，形成较大的扩散电流，其方向是由P区流向N区，随着外加电压的增大正向电流也增大，称之为PN结的正向导通。 2．PN结外加反向电压 PN结外加反向电压，即P区接电源的负极、N区接电源的正极，如图2-8所示。外电场使得P区的空穴和N区的自由电子从空间电荷区边缘移开，使空间电荷区变宽，内电场增强，不利于多数载流子的扩散，而有利于少数载流子的漂移形成反向电流，其方向是由N区流向P区。由于少数载流子是由于价电子获得能量挣脱共价键的束缚而产生的，数量很少，故形成的电流也很小，此时PN反向截止，呈现高阻状态。 2.2 半导体二极管 2.2.1 二极管的结构、类型及符号 将一个PN结封装起来，引出两个电极，就构成半导体二极管，也称晶体二极管。其电路中的表示符号如图2-9a所示。二极管的外形如图2-9b所示。 二极管的结构示意图 二极管的结构有三种，点接触型、面接触型、平面型，如图2-10所示。 2.2.2 二极管的伏安特性及主要性能参数 2．反向特性 二极管的反向特性对应图2-11曲线的（2）段，此时二极管加反向电压，阳极电位低于阴极电位。 主要性能参数 1．额定整流电流IF 2．最高反向工作电压URM 3．反向饱和漏电流和最大反向电流IRM 4．直流电阻RD 5．交流电阻 6．最高工作频率 二极管最高工作频率为是指二极管正常工作时，允许通过交流信号的最高频率。 二极管的测试 1．正向特性的测定 2．反向特性的测定 2.2.3 二极管的等效模型 1.小信号模型 2.大信号模型 二极管在许多情况下都是工作在大信号条件下 如整流二极管、开关二极管等 。在大信号条件下，根据不同的精度要求，二极管可以用折线模型、恒压模型和理想模型来表示。 2.大信号模型 2.3 特殊半导体二极管 2.3.1 稳压管及其应用 稳压管的主要参数 1）稳定电压UZ 2）稳定电流IZ 3）最大稳定电流IZM 4）最大允许耗散功率PZM 5）动态电阻rZ 6）电压温度系数 稳压管稳压电路 在负载变化不大的场合，稳压管常用来做稳压电源，由于负载和稳压管并联，又称为并联稳压电源。稳压管在实际工作时要和电阻相配合使用，其电路如图2-19所示。 2.3.2 发光二极管 半导体能带结构 半导体能带结构 自由空间的电子所能得到的能量值基本是连续的，而半导体晶体中孤立原子中的价电子处于非常固定的相同能级上，如图2-21 b 所示。 晶体中大量的