半导体及其用器件(72页).pptVIP

黄河水利职业技术学院 曾令琴 2. 工作原理 以增强型NMOS管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管不存在原始导电沟道。 当栅源极间电压UGS=0 时，增强型MOS管的漏极和源极之间相当于存在两个背靠背的PN结。 N+ N+ P型硅衬底 B D G S 不存在 原始沟道 + － UDS UGS=0 此时无论UDS是否为0，也无论其极性如何，总有一个PN结处于反偏状态，因此MOS管不导通，ID=0。MOS管处于截止区。 P PN结 PN结 ID=0 怎样才能产生导电沟道呢？ 在栅极和衬底间加UGS且与源极连在一起，由于二氧化硅绝缘层的存在，电流不能通过栅极。但金属栅极被充电，因此聚集大量正电荷。 + － + － N+ N+ P型硅衬底 B D G S UDS=0 UGS 电场力 排斥空穴 二氧化硅层在 UGS作用下被充 电而产生电场 形成耗尽层 出现反型层 形成 导电沟道 电场吸引电子 半导体二极管工作在击穿区，是否一定被损坏？为什么？ 你会做吗？ 何谓死区电压？硅管和锗管死区电压的典型值各为多少？为何会出现死区电压？ 把一个1.5V的干电池直接正向联接到二极管的两端， 会出现什么问题？ 二极管的伏安特性曲线上分为几个区？能否说明二极管工作在各个区时的电 压、电流情况？ 为什么二极管的反向电流很小且具有饱和性？当环境温度升