低温条件下高品质石墨烯合成和在水污染处理中应用.pdf

摘要 本论文以原位合成石墨烯为目标牵引，重点探索低温制备高品质石墨烯的原 理和方法。首次采用六氯苯为碳源，分别在铜箔、硅片、二氧化硅等基底上采用 化学气相沉积法制各石墨烯，通过设计实验过程和优化实验条件成功制备了单层 和多层石墨烯，并对石墨烯的制备原理和石墨烯层数控制进行了初步研究，主要 研究结果和创新点如下： l、首次采用铜催化六氯苯脱氯在铜箔表面制备单层石墨烯。在单层石墨烯 制备过程中，铜箔不仅作为石墨烯的沉积基底，同时还发挥了促进六氯苯脱氯的 催化作用，实现了在360C的较低温度下单层石墨烯的制备。 2、通过热解六氯苯在硅片、二氧化硅、铜箔基底上原位沉积了多层石墨烯。 因为采用了新型的碳源六氯苯，降低了沉积温度。 3、通过对石墨烯低温制各机理的研究，发现Cu对六氯苯脱氯的催化作用 在石墨烯低温制备过程中起到决定性作用。由于Cu的存在不仅大大降低六氯苯 的脱氯温度，同时还提高了六氯苯脱氯的效率和完全性，因而可以在相对较低的 温度下在铜箔上沉积单层石墨烯。 4、通过对温度的调制，在铜箔表面可以调控合成石墨烯的层数。在六氯苯 无催化剂热解脱氯温度400℃以下，可以在铜箔表面得到单层石墨烯。随着提 高沉积温度，分别在460℃和560℃得到双层和多层石墨烯。 本论文的研究结果为低温制备石墨烯提供了新的原理和方法，并为石墨烯层 数可控制备提供了新途径。 关键词：石墨烯低温制备高品质应用 Abstmet ABSTRACT FocusOninsitu in thethes ing synthesisofgrapheneis，bw-temperaturesynthetic of and methods theirmechanismhavebeen graphcm high-qualified explored wasusedthe as carbonsourceof comprehensively．Hcxachloroben踅ne for graphene thefwst foilsand as siliconsliceswere thesubstratesforthe time．Copper cmpbyed of inchemical growthgraphcne vapor modificationof CVD and and procedureexperimentalparameters,mo no—hyer filmswere mutli-layergraphenc successfully mechanismoftheformatbn and the ofthe numberof ofgraphenecontrollabilityhy