掺杂对氧化锌电特性的影响.pdfVIP

oNZno THEEFFECToFDoPANT PRoPERTY AThesisSubmittedto Shaanxi ofScienceand University Technology in ofthe forthe of PartialFulfillment RequirementDegree Doctorof Science Eneineerine Liu By Jianke Thesis Wan2Xiufen2 Supervisor：Professor 一■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■■一 March，2014 掺杂对氧化锌电阻特性的影响 摘要 氧化锌(ZnO)的禁带宽度很大，激子束缚能力强，具有很高的电导率， 因此在半导体电阻材料、太阳能材料以及荧光材料等方面均有广泛地应用。 ZnO做为电阻材料其电阻特性主要表现形式为压敏电阻和线性电阻。 ZnO做为线性电阻时，其伏安特性(I．V)为线性，材料是一种多晶半 导体，非线性系数相当小，电阻温度系数为正，通流能力很强，同时电阻率 可调范围较大。其机理是因为晶粒与晶界之间的接触为欧姆特性。它的主要 应用领域是现代电力一电子技术中的电流断路器，释能电阻器、点接地电阻 器以及无感测量电阻装置等。 ZnO压敏电阻是一种以ZnO为主体的多晶半导体陶瓷，经过典型的电 子陶瓷工艺制成，同时掺杂了多种金属氧化物。在ZnO压敏电阻击穿区内， 压敏电阻两端所加的电压大于其压敏电压，ZnO具有压敏特性的主要原因是 隧道击穿电子机理。其主要应用领域是高压稳压电路中，如电视机视放管、 高压真空开关以及卫星地面接收站等。 本文研究掺杂对ZnO电阻特性的影响，在以下方面做出了创造性成果： (1)ZnO薄膜的制备 采用射频磁控溅射法分别在玻璃衬底和塑料衬底(对苯二甲酸乙二醇酯 薄膜的方阻分别为45 D．／sq和19D．／sq，透光率均达90％以上。这说明，在 制备AZO薄膜时，柔性衬底可以代替硬质衬底，其应用能够使电子器件更 加微型化、集成化、智能化。研究表明，这种方法制备的ZnO薄膜满足对 其电阻特性研究的条件，且对ZnO薄膜的改性研究提供了技术支持。 (2)研究发现：ZnO掺杂碱土或金属氧化物氧化镁、氧化钛、氧化铝 定，可大幅提高线性电阻的能量密度，降低非线性系数。结果表明：掺入 度的升高而下降，直接导致阻温系数显著增加；当MgO掺杂量达到7叭％ 时，线性电阻的能量密度高达812J／cm3，非线性系数为1．12，阻温系数为正， 式以及生成量，减小线性电阻颗粒的晶粒尺寸，降低晶界势垒高度，对ZnO 时，电阻率达到285．24Q·cm，非线性系数低至1．17。 的分布更加均匀，能大幅降低ZnO线性电阻的非线性系数，并提高电阻率 J／cm3、812 阻的能量密度分别达到809 J／cm3，非线性系数分别达到1．14和 1．12，电阻温度系数分别达到2．7×10。4／℃和3．4×101℃。 较大幅度提高非线性系数和压敏电压。同时，烧结制度对其性能也有影响。 入，改变了尖晶石的生成方式，细化了