gaas材料光性质第一性原理研究.pdfVIP

摘要 摘要 砷化镓(GaAs)pA其优良的光电特性已经成为化合物半导体中最重要、用途最 广泛、生产量最大的化合物半导体材料。本文采用基于密度泛函理论框架下的第 一性原理平面波赝势方法，对GaAs电子结构、光学性质、体弹性模量以及应力下 GaAs电子结构等性质进行了研究。主要研究内容及其结果如下： 一、计算了闪锌矿GaAs晶格常数、能带结构、键结构、态密度和体弹性模量。 计算结果证实GaAs是一种直接带隙半导体材料，导带底和价带顶都位于布里渊区 中心G点处，但计算所的的禁带宽度仅为0．60eV，与实验值1．43eV有较大偏差， 文中分析了偏差过大的原因。 二、为了深入认识GaAs的光学性质，本文计算了介质跃迁矩阵元，给出了 GaAs的能量损失谱、介电函数、反射系数、吸收系数，复折射率等光学常数。利 用半导体间跃迁理论和GaAs电子结构信息，对介电谱图和反射谱图的峰值进行了 指认和判别，为实验图谱解析和精确监测和控制GaAs材料的生长提供了理论依 据。 三、计算了外压调制下GaAs体系电子结构和光学性质，分析了外压对GaAs 电子结构与光学性质的影响，对GaAs带隙随压力增大而展宽的现象进行分析。结 果表明：随着压力的逐渐增大，Ga．As键长缩短，价带与导带分别向低能和高能 3d电子与As 方向漂移，带内各峰发生小的劈裂，带隙Eg明显展宽，Ga 4p电子 杂化增强。GaAs的介电响应将向高频段转移，因此可以考虑通过施加外力作用达 到改变GaAs电学性能的目的，改善其应用范围，如用作am级别的力学传感器。 为发展新型GaAs光电材料提供理论依据。 关键词：GaAs：第一性原理；电子结构；光学属性；压力 Abstract Abstract Galliumarsenide’SmaterialcharacteristicsmakeGaAsbecomethemost good extensiveuse andthe amountof important，most production largest compound semiconductormaterials．Inthis onthe functionalwithinthe paper,baseddensity theory frameworkofthefirst electronic method，the principlespseudopotentialplane-wave modulusaswellastheelectronicstructureunder structure，opticalproperties，elastic and fitsfollows： stressareresearched．Themaincontentsofthe itsresultsare study 1、Wehavestudiedthebulk ofthe aslattice GaAs，such propertiessphalerite