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射频soi-lmos器件设计
摘要
摘 要
RF(RadioFrequency)功率器件是无线通信技术的重要基础。射频功率
DiffusedMetalOxideSemiconductorFieldEffect
LDMOS(Lateral Transistor)被广泛
应用于无限通信的窄带和高增益技术中，被认为是一种很成功的射频功率器件，
有如下优点：(1)在大电流范围内的跨导保持较大并为常数，故线性放大的动态
范围较大，并在较大输出功率时能有较大的线性增益；(2)交叉调制失真较低；(3)
较高的性价比。 然而LDMOS的寄生输出电容又会直接影响器件的输出特性，包
on
括功率增益、附加功率效率等，使输出匹配的设计更为困难。SOI(Silicon
工艺更加简单。
本文采用二维器件仿真软件ISE对通过数学建模估算的器件参数进行模拟优
化，确定器件的结构参数。采用ISE建立器件模型，对器件的电学特性进行模拟
分析，并研究了器件的参数对输出特性的影响。模拟发现，器件具有较好的直流
输出特性，较低的寄生电容，较高的截止频率。最后对SOI器件的失效机理及抑
制方法进行了详细的讨论。
为了提高器件在高压高频领域的应用，学者提出了各种各样的结构。本文研
构。重点讨论了DBPSOI．LDMOS结构的击穿特性和输出电容特性。通过模拟，我
性更好。
关键词：S01．LDMOS参数击穿电压电学特性
Abstract
Abstract
RF is considered私a baSisforwireless
The device veryimportant
power
in and
communication LDMOSis usednarrow-band
technology．RFpower widely
andis successful
forwirelesscommunication very
lli曲-gaintechnology regarded雒a
asfollows． its constant
RF device．The are First， hi曲
power advantages
transconductanceinawidecurrent createsa oflinear
range largedynamicrange
to linearwhen is cross
hi．gh．Second，the
amplification,leadinggreat gain outputpower
is
modulationdistortionlevelis ratio
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