电子科大电磁场与电磁波考题.docVIP

一．选择填空题：（共30分，每空1分）必须将正确答案编号填入空内！ 下列方程中（B ）是磁通连续性原理的微分形式，（D ）是高斯定理的微分形式。 A. B. C. D. E. 2. 导电媒质中存在时谐电磁场时，其中的传导电流与位移电流的相位差为（D ）。良导体中，电场强度和磁场强度的相位差为（C ）。 A．0° B.30° C.45° D.90° E.180° 两种电导率有限并分别为和的媒质分界面上，无外加源，则切向分量连续的物理量分别是（A ）和（E ）。（与顺序无关） A.电场强度 B. 电位移矢量 C. 传导电流 D. 磁感应强度 E. 磁场强度 引起同轴线单位长度电感变化的因素为（B ）和（E ）（与顺序无关） A.电流I B.磁导率 C.介电常数 D.磁通 E.内外导体半径a、b 坡印廷定理是关于电磁能量转换过程的能量守恒定律。其中（ ）表示进入有限空间体积V电磁能量，（ ）表示体积V中电磁能量的增，（ ）表示单位时间体积V内损耗的电磁能量。 A. B. C. D. E. A. B. C. D. E. 两块成90°的接地导体板，角形区域内有点电荷+q，若用镜像法求该区域内的电位分布，则共有（D ）个像电荷，其中电荷量为+q的像电荷有（B ）个。 A.0个 B.1个 C.2个 D.3个 E.4个 电磁波场量中含有（ ）表示沿+z为实数） A. B. C. D. E. 下列电场表达式中，（B ）表示均匀平面波，（C ）表示均匀球面波。（为直角坐标系坐标变量，为球坐标系变量） A. B. C. D. E. 10. 均匀导波系统中可能存在的模式有（C ），矩形波导中不可能传播（A ）。 A.TEM B.TE,TM C.TEM,TE和TM D.TEM,TE E.TEM,TM 11. 在且ba2b的矩形波导中，其主模为（A ），次高模为（C ） A． B. C. D. E. 12. 均匀平面波由介电常数为的理想介质斜入射到介电常数为的理想介质的分界面上，且。发生全反射的条件是（D ），发生全透射的条件是（C ）。（其中为入射角，为临界角，为布儒斯特角） A．平行极化入射，且 B. 垂直极化入射，且= C．平行极化入射，且= D．垂直极化入射，且 E. 平行极化入射，且 13. 平行极化的均匀平面波，斜入射到两种理想介质分界面上，若发生全反射时，透射波为（C ）。若发生全透射时，反射波为（A ） A．0 B.呈驻波分布 C.随离开分界面距离的增加呈指数衰减 D．均匀平面波 E.均匀球面波 14. 垂直于地面架设的电偶极子天线的远区辐射场的最大辐射方向与地面成（A ）。该方向上电场强度与地面成（E ）。 A． B. C. D. E. 二．计算题（共70分） （20分）同轴线内外导体半径分别为a和b。其间填充非均匀电介质，且其介电常数随径向距离r变化的规律为。已知外导体接地，内导体电位为。如图所示。求①介质中的和；②介质中的极化体电荷密度和介质表面的极化面电荷密度；③导体表面的自由电荷面密度。 解：（1）介质中的和 设内导体单位长度带电荷为，根据高斯定理可得 （arb） （ 4分） 由 得 （3分） （2）介质中的极化强度为 （2分） 介质中的计划电荷体密度为 （3分） 处的极化电荷面密度： （2分） 处的计划电荷面密度： （2分） （3）自由电荷面密度 处的自由电荷面密度： （2分） 处的自由电荷面密度： （2分） （15分）同轴线的内导体是半径为a的导体圆柱，外导体是半径为b 的导体薄圆柱面，其厚度可以忽略。内外导体间填充磁导率分别为的磁介质，如图所示。设同轴线中通过电流为I。求①各区域的磁场强度；②单位长度储存的磁场能量；③单位长度的自感 解：（1）各区域的磁场强度 根据安培环路定理，当时，有 ；所以 （2分） 当时，有 因为： （2分） 由：，即 （2分） 所以得到 （2分）