锌基半导体纳米料的控制生长与改性研究.pdfVIP

摘要 摘 要 纳米材料形貌和性能的可控成为新阶段研究的主旋律。本文以ZnO和ZnS 纳米材料为研究对象，发展了简便、节能、快速、易于大规模化生产的燃烧法 来制备镁或镉掺杂的氧化锌纳米材料，并通过掺杂离子的引入来控制ZnO材料 的生长和调节其光学性能。主要成果如下： 1、通过低温燃烧的方法来制备(ZnCd)O，发现Cd在原材料中的加入能够影 响产物的形貌，主要生成半卷曲的带状产物。Cd的溶入能够使晶格发生一定程 度的畸变而使得E2high非极性拉曼模式蓝移。5％的Cd掺杂样品600。C退火后由 于固溶Cd浓度较高，从而形成一个更深的能级而发出大约600rim的橙红色发射。 1000℃退火后，由于Cd的脱溶析出而生成立方CdO相，而使得得带边发射变 成双峰发射，可见光区变成与CdO有关的525nm发射占统治地位。无论Cd的 含量及退火温度的变化，其带边发光峰没有出现特别明显的红移，这为其以后 进一步在紫外发光二极管，紫外激光器方面的应用研究打下基础。 2、通过低温燃烧的方法来制备(ZnMg)O，发现随着Mg在原材料中的加入 能够形成卷曲的片状产物。Mg含量较高时会生成宽带隙的Zn掺杂的MgO包裹 在Mg掺杂的ZnO外面，而使得发射大大增强。由于带隙紫外发射与绿色发射 比例随激发强度的增加而增加，意味着与缺陷有关的绿色发射可能来自近带边 的浅施主能级到带双电荷的氧空位跃迁。另外Mg掺杂能够使ZnO带隙发射峰 明显的蓝移，特别是高Mg含量时，不仅能调节带隙，而且更能形成量子限域效 应而使得带边发射增强。 3、采用简单的无催化剂热蒸发的方法，在水平管式炉中成功地合成二氧化 硅均匀包裹硫化锌纳米球结构。通过TEM发现其芯部主要为空心结构，且芯部 还存在没被完全还原分解掉的ZnS纳米颗粒或纳米棒，从而导致样品存在460nm 的ZnS缺陷光发射。而且这种非晶结构里含有大量的单质微晶硅，从而导致很 强的橙红色发射。 关键字：半导体；掺杂；控制生长；能带工程 ABSTRACT ABSTRACT For researchon the andmodulated nanomaterials，controlled morphology are extensiveinterest．Thecadmiumor zinc performanceattracting magnesium—doped oxidenano—-materialsa andfast preparedby simple，energy-savinglow-temperature combustionmethod．Theintroductionof the intoZnOhostsCancontrolthe dopants andmodulateits resultswilloffer for growth opticalproperties．The asignificant help device basedonZnOmaterialsinthefuture．Themain nanophotonicapplications resultsareasfollows： 1．The ribbonswere a combustion cu