单个锗硅量子点性质的导电原子力显微镜与研究.pdfVIP

中英文摘要 单个锗硅量子点性质的导电原子力显微镜研究 塑堡系竖星查塑理专业 学生姓名蓝韭指导老师扬堑蕴副麴援莶量筮塾攫 摘要 于研究表面电学性质的技术，利用导电针尖同时测量单个半导体量子结构的形貌 和表面电导信息或电导分布。 本论文首次利用CAFM研究了在Si(001)P型衬底上自组织生长的锗硅量子点 的电流分布。由于锗硅量子点中锗和硅具有不同电导率，从电流信号的分布分析 可以得到锗硅组分在量子点内的分布信息。实验研究了两种生长温度分别是 550。C和640。C的量子点，发现这两种不同生长温度的量子点的电流分布有着显 著的差异。我们认为这是由在不同的生长温度下，缓冲层中的硅和量子点中的锗 的不同程度上的互混导致的。通过对实验结果的分析，得到穹隆结构的锗量子点 在较高的生长温度下，量子点内大部分的组成成分都是硅成分大于35％的硅锗合 金。而同样形状的在较低温度生长下的量子点大部分都是锗成分大于65％的锗。 对锗硅成分有选择性效果的腐蚀实验证实了上述结论。 我们还利用CAFM对相同生长温度下，覆盖了不同厚度硅层的量子