氧化锌薄膜的微构调整及光、电、磁性质研究.pdfVIP

摘 要 !II I曼!曼鼍蔓曼皇曼蔓皇曼曼曼皇曼皇!皇曼曼曼毫 摘要 ZnO作为一种直接带隙化合物半导体材料，具有较宽的带隙(室温下3．37eV)和 较高的激子束缚能(60meV)，在短波长光电器件和磁光器件领域有极大的应用潜力， 为提高光信息的记录密度和存取速度开辟了新的前景。制备高质量的ZnO薄膜，研究 其光学、电学、磁学性质成为目前国际上研究的热点。 本工作采用螺旋波等离子体辅助射频磁控溅射(HWP．RF sputter)技术和脉冲激光 沉积(PLD)技术，通过调整ZnO薄膜的微结构，获得了P型导电与具有室温铁磁性的 ZnO薄膜，系统研究了ZnO薄膜的光、电、磁性质，得到以下主要结果： (1)在不同温度下对蓝宝石衬底进行氮化预处理，采用HWP．RF sputter技术在该 衬底上获得ZnO薄膜的外延生长。结果表明：当氮化温度较高时，ZnO薄膜具有高度 的c轴择优取向和ab取向，薄膜内存在较小的内应力；当氮化温度较低时，薄膜具有 较好的c轴择优取向和ab取向，而薄膜内存在较大的内应力；当氮化温度处于中间值 时，薄膜c轴择优取向性变差，而在ab面内不存在取向。 (2)通过调整Ar+O：混合气体的工作气压，采用HWP．RF sputter技术成功地制各 了自然掺杂P型ZnO薄膜。X射线衍射结果显示薄膜具有良好的c轴择优取向和ab取 向。分析表明，大量补充氧、增大氧活性粒子的浓度有利于促进本征受主缺陷的形成， 实现ZnO薄膜的P型转变。 (3)以N2为掺杂源，采用HWP—RF 生长。给出了N相关的中性受主束缚激子为特征的低温光致发光谱，提出了旌主．受主 共掺实现ZnO薄膜P型掺杂的机理，所得结果对ZnO薄膜的导电类型控制具有普遍性 意义。 (4)采用HWP．RF sputter技术在蓝宝石衬底上成功地制备了单相的c轴择优取向 Zn2+形式掺入ZnO晶格中：利用吸收光谱阐释了Mn的离化能级到价带或导带的电荷转 移跃迁吸收机制。 (5)采用PLD技术在蓝宝石衬底上成助地制备了单相的c轴择优取向Mn掺杂稀 磁ZnO薄膜。结果表明，随Mn掺杂量增大，薄膜的结晶质量逐渐提高；晶粒尺寸明显 捅要 增大；单位磁性离子饱和磁矩逐渐减小；薄膜光学带隙红移；Mn离子电荷转移跃迁吸 收逐渐增强。在外加磁场下，薄膜对左、右旋圆偏振光的吸收分析，给出了光吸收边所 表现的s,p．d交换相互作用的特征。电学测试表明薄膜均为n型导电，载流子传输在低 温下满足变程跳跃电导机制，较长的载流子驻留时间为薄膜铁磁特性的形成提供了条 件。随Mn掺杂量增大，薄膜铁磁性的减弱可能与Zn空位浓度减小及近邻Mn离子比 例的增大有关。 关键词：ZnO薄膜结构光学性质电学性质磁学性质 Abstract ZnO1sad1陀ctb卸d gap compound a semiconductor,withwide band 7eV gap(3．3at room 1emperature)andexciton a王arge binding energy(60isa