β-sic薄膜备及特性研究.pdfVIP

摘要 摘 要 本工作采用激光溅射沉积(PLD)和激光辅助热丝化学气相沉积(IFCVD)两种 实验技术制备了SiC薄膜，并对薄膜特性进行了研究。用扫描电镜(SEM)，x射线 刺薄膜形貌，成份，微观结构和薄膜发光特性进行了分析和确定；研究了激光能 量，衬底温度等实验参数对SiC薄膜生长的影响，特别是不同沉积温度在薄膜合 成中的作用进行了比较系统的研究。在金属诱导一维Sic生长的实验中，我们采 刚激光溅射铁靶材来获得纳米铁颗粒。纳米铁粒子引入有效得降低了SiC的合成 温度，并促使了sic纳米线的生长。此外，采用HFCVD技术在较低温度下合成了 纳米SiC薄膜，并对薄膜进行了的光致发光检测，进一步探讨了样品在室温条件 一日见光发射的发光特性。采用HFCVD技术低温氧辅助生长机制合成SiC纳米线 并就SiC纳米线的生长和硅氧化物在SiC纳米线合成中的催化作用进行了分析。 关键词： 热丝化学气相沉积：激光溅剩沉积：纳米SiC：SiC纳米线 Abs订act Abstract SiCfilmsare two of laser synthesizedusingtechnologiespulse deposition(PLD) andchemical thecharacteristicsofSiCfilmsare vapordeposition(CVD)and in this The etalare analysized paper electrical analysizedbyX-raydiffraction(Xe．D)，Ramanspectra，scanningmicroscopy transmissionelectron (SEM)，high microscopy(HRTEM)and Theeffectofthe suchaslaser respectively experimentalparameters energy,substrate etalonthe ofSiCisstudiedInthe of one—mension temperature growth experiment material induced areobtainedlaserablationFe growth by bymetal，nanoparticles target IntroductionofFe as decreasethe nanoparticlescatalysteffectively deposition ofSiC SiCnanowries nanowries，and temperature promote growthAdditionally SiCfilmsare atlow HFCVDFilmsare nanocrystaltinesynthesizedtemperatureusing detectedPLandluminesce