多量子阱的瞬态学非线性及其在全光开关中的应用.pdfVIP

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  • 2015-12-05 发布于贵州
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多量子阱的瞬态学非线性及其在全光开关中的应用.pdf

多量子阱的瞬态学非线性及其在全光开关中的应用

摘 要 全光开关是全光通信网络中光交换的核心器件,是实现快速、透明和无阻塞光信 息交换的关键,也是光计算和光互联的基础器件。随着光通信技术发展,对高性能光 开关的需求越来越迫切,国内外学者对此进行了大量的研究。半导体多量子阱中的电 子自旋弛豫时间为 ps 量级,激子共振吸收饱和表现出较强的光学非线性,这两种特性 可以用来实现超快全光偏振开关。我们深入研究了 InGaAs/InP 多量子阱的电子自旋弛 豫机制,激子吸收饱和机制包括相空间填充、库伦屏蔽和碰撞展宽,并采用五能级模 型模拟泵浦-探测条件量子阱中的载流子变化情况,及由此产生的材料吸收系数、折射 率变化和圆偏振二色性,计算了开关所能达到的理论性能指标。我们设计并制作了 60 周期的材料样品,测试了材料透射谱,确定了第一重空穴激子峰波长,采用飞秒激光 泵浦-探测装置进行了材料的开关实验,分析了实验结果,并对实验中的一个新现象提 出了一些可能的解释。 我们深入研究了带隙重整化产生的物理机制和计算方法,相空间填充、库伦屏蔽 和带重整对激子吸收共振峰动态漂移的影响进行了综合研究。针对材料载流子恢复较 慢对开关重复率的限制,我们提出了一些改进方案,包括非对称FP腔结构设计,材料 的Be掺杂低温生长以及基于光学斯塔

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