《三元Stannide相窄帯隙半导体Na2MgSn的第一性原理计算(英文版)》.pdfVIP

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  • 2015-12-06 发布于浙江
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《三元Stannide相窄帯隙半导体Na2MgSn的第一性原理计算(英文版)》.pdf

Trans. Nonferrous Met. Soc. China 24(2014) 1853−1858 First principles calculation on ternary stannide phase narrow band gap semiconductor Na2MgSn 1 2 3 2 Yi-fu WANG , Qing-lin XIA , Liu-xian PAN , Yan YU 1. College of Mathematics and Computer Science, Key Laboratory of High Performance Computing and Stochastic

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