《ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性 Structural and Optical Properties of ZnO Thin Films after Thermal Sulfidation in Sulfur Vapor》.pdfVIP

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2015-12-08 发布于河南
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《ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性 Structural and Optical Properties of ZnO Thin Films after Thermal Sulfidation in Sulfur Vapor》.pdf

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《ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性 Structural and Optical Properties of ZnO Thin Films after Thermal Sulfidation in Sulfur Vapor》.pdf

第41卷第6期人工晶体学报 v01．41No．6 垫!兰生!兰旦 ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性张仁刚1，一，卓雯1，刘继琼1，王红军1，高恒1 (I．武汉科技大学应用物理系，武汉430065；2．冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室，武汉430081) oC硫化得到z11S薄膜。用x射线衍射仪摘要：采用射频反应磁控溅射沉积了ZnO薄膜，然后在硫蒸气中于500 ZnO硫化转变依赖于硫化时间。当硫化时间小于18h时，ZnO只能部分转变为ZnS。只有当硫化时间等于或大于 0 18h时，才能完全生成六方相ZnS薄膜，沿(010)晶面择优生长，硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化。所得ZnS eV。薄膜光吸收边宽化、光透过率低，ZnS薄膜带隙为3．54—3．66 关键词：ZnS薄膜；溅射；硫化中图分类号：0484 文献标识码：A Structuraland ofZnOThinFilmsafter OpticalProperties ThermalSulfidationinSulfur Vapor ZHANG Wenl，LIUJi—qion91，WANGHong-junl，GAOHen91 Ren．gan91’-，ZHUO of ofScienceand Physics，WuhanUniversity Technology，Wuhan430065，China； (1．DepartmentApplied 2．HubeiProvince of Sciencein Laboratory MetallurgicalProcess，Wuhan430081，China) Key Systems (Received 21 2012) 1脚栅2012，acceptedSeptember oftheRF ZnOthinfilms thinfilⅡ坞were sulfidation reactive Abstract：z11S magnetron producedby sputtered 500oC．The ofthefilmswerecharacterizedthe insulfur at byusing vapor properties transmission and h ZnOwas spectra，AESdopplerbroadeningspectroscopy．After18sulfidation，thepartial convertedtoZnS．A