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su--8胶薄应力梯度测量方法研究

摘要 摘要 SU-8胶是一种在微机电系统(MEMS)中广泛应用的负性光刻胶。由于其独特的光 and galvanoformung SU-8 器的制作中,在微细制造领域正受到了越来越多的关注。在MEMS工艺中, 胶薄膜尤其是作为结构层使用时,其力学性能对MEMS器件制作的成败及性能的好 坏至关重要。在MEMS薄膜材料力学参数中,主要包括材料的内应力,应力梯度, 泊松比以及杨氏模量等。 本文在基于圆形薄膜结构测量应力梯度原理的基础上提出了一种乒乓球拍形测 理论的正确性进行了仿真验证。仿真计算得到,当圆膜的最大形变小于圆膜厚度的杉 ,1 倍时,应力梯度的测量误差小于1%。 本文还提出了一种基于牺牲层技术的SU.8胶MEMS结构加工工艺,加工出的 SU一8乒乓球拍测试结构中没有裂纹,且被释放的结构层未与衬底发生粘连。采用显 微干涉技术拍摄测试结构释放后的干涉图,由干涉图通过最小二乘法拟合计算出释放 后测试结构的曲率半径,从而计算出应力梯度。显微干涉测量方法属于非接触式测量, 不仅重复性好,不会损害测试结构,而且适用于导电材料与非导电材料力学参数的在 线测量。 本文分别制作了SU.8胶的乒乓球拍形测试结构和悬臂梁测试结构,并测量计算 出它们的应力梯度进行比较,实验结果表明,采用乒乓球拍结构测量应力梯度的重复 性很好,而已有的采用悬臂梁测试结构测量应力梯度的重复性较差,因此,乒乓球拍 形测试结构要比悬臂梁测试结构更适用于应力梯度测量。 本文还采用微梁旋转法对su.8薄膜的应力进行了测量。通过显微镜拍摄出形变 的照片,测量出SU一8测试结构释放后指针的偏转量,从而计算出su一8薄膜的应力。 关键词:su.8薄膜,应力梯度,乒乓球拍形测试结构,牺牲层技术,显微干涉技术 摘要 Abstract SU·8 hasbeen in negativephotoresist usedMEMS.Becauseofits widely unique andchemical becausethe opticalproperties,mechanicalproperties properties,and ofSU-8is than photolithographytechnology cheaper and SU·8 hasbeen usedin abformung)technology,nowadaysnegativephotoresistwidely andactuators.SU一8 MEMS(Micro—Electro—Mechanic system)sensors are ifexcellentMEMSdevicesare when propertiesveryimportant wanted,especially film SU-8 isusedassmactureinMEMSdevices.SimilartOusual layer materialsusedin

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