soi横向高压件纵向耐压理论与新结构.pdf

摘要 摘要 SOl(SiliconOn Insulator)即“绝缘体上的硅’’被称为二十一世纪的硅集成技 术，其独特的结构带来隔离性能好、漏电流小、速度快、抗辐照和功耗低等优点， 充分发挥了硅集成电路技术的潜力，特别是SOl高压集成电路(HighVoltage IntegratedCircuit，HVIC)在未来空天抗辐照领域具有特殊作用，因而得以广泛发展 和应用。SOl横向高压器件作为HVIC的基石，由于介质层阻止了其耗尽区向衬底 层扩展，使得习用的器件纵向耐压仅由顶层硅和介质层承担。而因隔离和散热的 限制，顶层硅和介质层都不能太厚，同时由界面处无电荷高斯定理，使得器件击 穿时的介质层电场仅为硅临界场的3倍即100V／gm左右，远未达到实际常用介质 HVIC的应用和发展，目前投入应用的还没有突破600V的瓶颈。对此，国内外众 多学者进行了深入研究，当前工作主要集中在新理论模型和新器件结构两个方面。 本文在对习用的SOl横向高压器件研究的基础上，围绕纵向耐压新理论、新 模型和新器件结构进行研究。完善一个统一的纵向耐压新理论一介质场增强 (ENhancedDielectric Field，ENDIF)普适理论；首次建立一项新的电场模型 layer 一基于阈值能量经典雪崩击穿理论的硅临界击穿电场与其厚度定量关系模型；在 ENIDF指导下提出两类电荷型SOl高压器件新结构一电荷岛型高压器件和复合介 质埋层高压器件。 第一，完善介质场增强ENDIF理论，是优化设计SOl横向高压器件纵向耐压 的普适理论。该理论基于介质场临界化的思想，通过增强介质层电场而提高SOl 器件的纵向击穿电压。根据包含界面电荷的高斯定理，ENDIF给出增强介质层电 场的三类技术：采用具有可变高临界电场的超薄顶层硅；引入低介电系数介质埋 层；在介质层界面引入电荷。用ENDIF对现有典型纵向耐压结构进行理论上的概 括与解释，并用以指导新的器件结构设计。ENDIF理论是新的高压S01器件击穿 电压终端理论，它突破了传统S01横向高压器件的局限。 第二，首次建立硅临界电场与其厚度定量关系解析模型。基于阈值能量经典雪 崩击穿理论，选择计及阈值能量的电离率公式，首次推导出适用于厚、薄硅层的 硅临界电场与其厚度以及适用于高、低掺杂的硅临界电场与其掺杂浓度的新定量 关系模型，获得了超薄硅层或者超高浓度情况下远高于常规30WIrtm的硅临界电 摘要 场，并由此获得SOl高压器件的介质场与纵向耐压的统一解析模型。讨论纳米级 超薄硅层的临界场与电离率弛豫关系半经典模型。最后将该研究方法推广应用于 其他半导体材料及器件。 第三，在ENDIF指导下，提出两类新的电荷型介质场增强高压器件一具有界 面电荷岛的系列高压器件和具有复合埋层的SOl高压器件。 Islands，CI)。该类器件在介质 1)具有界面电荷岛的系列高压器件(Charge 层界面注入高浓度掺杂区，未耗尽高掺杂区内的电离杂质库仑力以及电场力的综 合作用将在界面束缚电荷，利用界面电荷对介质场的增强作用和对顶层硅电场的 SOD， 削弱作用来提高器件耐压。主要包括：(1)界面电荷岛S01高压器件(CI 582V／gm；(2)界面电荷岛部分SOl高压器件(CIPSOI)，求解二维泊松方程推导 此类结构纵向界面电场解析模型，获得631V高压，其最高表面温度分别比常规 件(ICI PSOI，较 相同尺寸CI 的CI 的耐压，远高于常规结构；(5)双面界面电荷岛S01高压器件(DcIPSOI)，获得 with Buried S01)。 2)复合埋层的S01高压器件(SOl CompositeLayer，CBL 该类