单路与多路cms工艺单片光电集成接收机研究与制作.pdf

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单路与多路cms工艺单片光电集成接收机研究与制作

中文摘要 随着数据传输量的不断增大,传统的电互连已经不能满足要求。目前在信息 传输方面,呈现出光互连与电互连共存的局面,并且由于光互连的优越性,在不 久的将来光互连有可能全面取代电互连。在光互连系统中,高速高灵敏度的光接 收机设计是一个关键点。传统的光接收机中,光电探测器以及高速模拟电路模块 的设计制造大部分采用非CMOS技术,虽然能够获得较为优越的性能,但是工艺 不成熟,制作成本高,设计和加工周期长。CMOS超大规模集成电路以及工艺技 术的发展,推动了光互连CMOS高速光电探测器和前置放大电路的发展,使得有 可能将光接收机中的光电探测器与接收机前置模拟放大电路部分集成到同一块 芯片上,这样在光电探测器与前置模拟放大电路之间就可以直接通过CMOS工艺 中的金属层来进行连接,从而可以最大限度的消除封装和模块间互连所产生的寄 生效应以及外界环境的电磁干扰和噪声,降低了光接收机制作的工艺复杂度,制 作成本较低。并且,随着CMOS工艺技术的不断成熟,特征尺寸不断减小,接收 机各个模块的速度能够很快的提高,具有广阔的发展前景。 本文围绕高速高灵敏度光接收机中的光电探测器和前置放大电路展开研究, 首先讨论了光接收机的基本结构、性能参数,分别分析了光电探测器和前置放大 电路的原理、性能、结构,阐述了在光接收机设计过程中各部分所面临的问题和 各个性能参数之间必要的折中。分别对光电探测器以及前端放大电路进行了模 拟。在此基础上,设计了单路OEIC接收机和12路OEIC接收机并流片测试,具 体包括: 1.设计了多种与标准CMOS工艺兼容的硅基光电探测器结构,通过软件进行 CMOS CMOS工艺和台积电0.18pm 仿真得出其性能参数,分别采用无锡上华0.6pm 工艺进行了单独的流片,并进行了测试。 2.设计了光接收机前置放大电路。在TIA电路中,带宽的提高和噪声性能 的提高几乎是矛盾的,因此需要在二者之间进行适当的折衷。我们提出了光接收 机灵敏度的具体分析方法,并通过仿真确定电路参数与接收机灵敏度的关系;同 时结合CMOS集成电路工艺的发展,提出了新型的在TIA中进行前均衡频率补偿 的方法,来提高其带宽。 3.针对VSR4一1.0协议的要求,进行了12路并行光接收机的研究。在研制 过程中,并行光接收机与单路光接收机的一个重要不同点就是在通道之间存在串 扰。我们尝试了抑制串扰通常所采用的隔离方法,同时寻找到一种新型的通过电 路设计分析来减小通道间串扰的新方法。 4.在上述模拟仿真和分析的基础上,设计了光接收机各部分和整体的版图, 并且进行了流片和测试,测试结果证实了仿真中的想法。 5.进行了12路光接收机模块的制作。 本论文的研究成果在于将光接收机中的光电探测器和前置放大电路集成到 同一块衬底上,实现了高速高灵敏度的单路和12路并行光接收机,为单片集成 CMOS光接收机的实用化打下了坚实的基础。 关键词: 光电集成接收机高速高灵敏度单片CMOS并行 ABSTRACT data electricalinterconnection Withthe of amount,traditional rapidimprovement transmission non-satisfiablefor inthedata (E1)becomes hugecapability.Now aspect, therearebothelectricaland becauseofthe opticalinterconnections(00,and of canforecastthatinthenearfutureit

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