大晶粒多晶si膜的结构特征与光电特性.pdfVIP

ClassifiedIndex: CODE: 10075 U.D.C.: NO ADissertationfortheDegreeofM.Engineering Structural characteristics and photoelectric properties of large-grained poly-silicon films Candidate: Zhang Zhigang Supervisor: Prof. Peng Yingcai Specialty: MicroelectronicsSolidStateElectronics AcademicDegreeAppliedfor: MasterofEngineering University: HebeiUniversity DateofOralExamination: June ，2012 摘 要 摘 要 本工作采用高频感应化学气相淀积(HFCVD)技术，以 SiH 为反应气体源，在石英 4 衬底表面上制备了大晶粒多晶硅(pc-Si)薄膜。实验研究了衬底温度、反应压强和 SiH4 浓度等工艺参数对 HFCVD 生长 pc-Si 薄膜的晶粒尺寸和光学性质的影响。利用扫描电 子显微镜（SEM）、X-射线单晶衍射(XRD)和 Raman 光谱等技术手段，对 pc-Si 薄膜的 结构特性进行了分析表征。利用紫外分光光度计和霍尔测试仪测试了 pc-Si 薄膜的光电 特性。初步探讨了 HFCVD 原位掺杂生长中掺硼(B)浓度对 pc-Si 薄膜光电特性的影响。 结果指出，pc-Si 薄膜的晶粒尺寸随衬底温度、反应压强、SiH4 浓度和掺 B 浓度的增加 呈现不同的变化趋势。在衬底温度为 1000℃，反应压强为 200Torr ，掺杂浓度为 0.83%(Si:B=1000:8.3)条件下，得到晶粒尺寸为 2.5μm 、光学带隙为～1.55 eV 的pc-Si 薄 膜。实验还发现，pc-Si 薄膜随 B 掺杂浓度的增加而变厚，薄膜的结晶程度则随掺杂浓 度的增加呈现先增大后减小的趋势。在 B 浓度较低时，薄膜晶粒尺寸会随掺杂浓度的增 加而增大.当浓度增加到一定值时，晶粒尺寸大小将不再发生变化。定性分析认为,这种 现象与 B 原子在薄膜生长过程中对衬底表面发生的 H2 解吸的促进作用有关。B 的掺入 会降低 H2 解吸势垒，促进衬底表面 H 的解吸过程，从而增加了薄膜的淀积速率，并导 致薄膜晶粒尺寸的变化。利用所制备的大晶粒 pc-Si 薄膜设计了 nc-Si:H/pc-Si 异质结， 并测试了该异质结在暗室和光照条件下的 I-V 特性。结果表明，异质结的界面态显著影 响异质结光生电流的大小。而随着退火后样品界面态密度的降低，异质结的光生电流明 显提高。在面积为 0.25cm2 的石英衬底上获得了 nc-Si:H/pc-Si 异质结的光伏参数为：短 路电流 I =25.2mA ，开路电压 V =250mV ，填充因子FF=55.4% 。 sc oc 关键词 高频感应化学气相淀积 大晶粒 pc-Si 薄膜 原位掺杂 nc-Si:H/pc-Si 异质结 光电特性 I Abstract Abstract