掺碳氧化硅低介常数互连介质研究.pdfVIP

摘要 随着超大规模集成电路(ULSI)特征尺寸的不断减小以及互连布线密度的 急剧增加，互连系统中电阻、电容带来的RC耦合寄生效应迅速增长，影响了器 件的速度。为解决这个问题，需要引入低电阻值的铜互连线和低电容的低介电常 导体技术发展蓝图预测，到2010年45nm特征尺寸的ULSI要求互连介质的介电 常数值应小于2，l【l】。而同传统的氧化硅薄膜相比，low-k薄膜在机械强度、热稳 定性和与其他工艺衔接等方面有很多问题，给工艺技术带来了很大挑战。因此研 究低介电常数介质材料以及其工艺技术显得越来越重要。本文研究了低介电常数 薄膜与在铜互连技术中的使用的阻挡层材料的界面反应，以及low-k薄膜的改性 处理和制备。论文主要内容分为以下三个部分： 应，通过HRTEM观察其界面，并用X射线光电子能谱(xPs)分析了界面 的热稳定性。 有的的界面过渡层很薄，在10nm左右，并且没有扩散进入SiCOH。 ◆XPS分析表明样品在142 面在退火后没有发生显著的变化，说明SiCOH／TaN有着良好的热稳定 性。由AFM测得退火前后薄膜的粗糙度，表明退火对薄膜的表面形貌 没有明显的影响。 2．为了改进低介电常数介质SiCOIt薄膜的机械性质，论文研究了两种表面改 性处理及其原理。 ◆基于紫外线辐照的薄膜改性处理 通过XPS和FTIR的分析，发现紫外辐照使得薄膜内分子重新交联，使 薄膜更加紧密牢固，有效的增强了薄膜的机械性能，而对介电常数产生 的影响较小。在紫外光的作用下，Si．CH3化学键被切断，薄膜表面的孔 积率下降，形成更加致密的表面，从而增加了机械强度；通过辐照，薄 膜中的分子重新交联，Si．0骨架中一部分原本为网状结构的Si．0一Si化 学键交联成强度更大的笼状结构，这也使得SiCOH薄膜的机械性质有所 提高。 ◆基于NH3等离子体表面处理的薄膜改性处理 XPS和FTIR等微观表征结果的分析中表明，经过NH3等离子体表面处 理后SiCoH薄膜的抗吸水性有很大的提高。NH3等离子体在打断薄膜表 面的Si．CH3键的同时，其中的N元素又与．Si或．C．Si相结合，表面形成 了含N的致密表层，去除了表面具有活性的悬挂键，使得薄膜不易吸水。 3．以Sith，N20，C2F6为反应前体，用PECVD方法制备了掺碳掺氮氧化硅。 ◆根据氧化硅掺碳以降低介电常数，low-k材料掺氮以增强机械性能的思 路，创新地用PECVD方法生长出了同时掺碳掺氮氧化硅的低介电常数 介质薄膜。 ◆基予对在不同参数下生长出来的样品进行的XPS分析，研究了反应过程 中气体流量和等离子体功率对薄膜生长的影响。 ◆测量这种新型low-k材料的介电常数，发现k值随薄膜中的含碳量变化， 范围在3．O～3．3，具有较低的介电常数。 关键词：低介电常数介质，铜互连，扩散阻挡层，机械性质，x射线光电子能 谱，薄膜改性处理 中图分类号；TN304，TN305 Abstract Asthe shrinkofdevice’Sfeaturesizeandthe increase aggressive rapid ofdensity ofinterconnectlinesin scale RC of ultra—largeintegrated(uLsl)circuits，thedelay theinterconnectrise device systemdramatically,whichactuallydestroysspeed．To this solve withsmallerresistanceand copperinte