《存储器－ROM》.pptVIP

IME PKU * IME PKU 第三节 非挥发性存储器ROM ROM PROM EPROM Flash EEPROM 基于浮栅结构的PROM 作为可编程、可擦除的ROM，需要满足的基本条件： 编程时间短（1秒）、编程信息保存时间长（大于10年） IME PKU IME PKU ROM 2.1 浮栅存储器（Floating-Gate Memory） 浮栅存储器的结构示意图 2.1.1 浮栅结构和信息存储原理 利用浮栅上是否存在电荷来表示“0”和“1” 利用沟道阈值电压不同区分信息“0”和“1” CONTROL GATE FLOATING GATE DRAIN SOURCE IME PKU 浮栅结构的能带图 2.1.1 浮栅结构 IME PKU IME PKU 2.1 浮栅存储器单元 2.1.2浮栅结构中的电荷输运机制 未编程时所有单元存储信息“1” 存储信息的编程（写“0”）：向浮栅中注入电子 存储信息的擦除：从浮栅中排出电子 注入电子编程的时间要很短 注入到浮栅中的电子在不擦除时能够长时间停留（大于十年） 因此对浮栅的的电子注入和擦除过程具有不对称特性 由于对可编程、可擦除的ROM，要求： IME PKU 2.1 浮栅存储器单元 2.1.2 浮栅结构中的电荷输运机制（续） 热电子注入 隧穿注入 注入机制 IME PKU 热电子注入浮栅的条件（