电工电子技术基础 作者 申凤琴 第5章.pptVIP

ＰＮ结具有单向导电性 正偏：在ＰＮ结上加正向电压时，ＰＮ结电阻很低，正向电流较大，ＰＮ结处于导通状态。 图5-14 输出特性曲线 四、晶体管的主要参数 1．电流放大倍数 （1）共发射极直流电流放大倍数 静态时 与 的比值称为共发射极静态电流放大倍数，即直流电流放大倍数 （5-2） （2）共发射极交流电流放大倍数 （ ） 动态时，Δ 与 的比值称为动态电流放大倍数，即交流电流放大倍数 （5-3） 估算时， 。 2．极间反向电流 （1）集电极—基极反向饱和电流 是晶体管的发射极开路时，集电极和基极间的反向漏电流，又叫反向饱和电流，小功率硅管的 小于1μA，锗管的 约10μA。 的测量电路如图5-15a所示。 （2）穿透电流 为基极开路时，由集电区穿过基区流入发射区的穿透电流，它是 的（1+ ）倍，即 （5-4） 而集电极电流 为 （5-5） 的测量电路如图5-15b所示。 图5-15 极间反向电流的测量电路 的测量电路 的测量电路 3．极限参数 （1）集电极最大允许电流 当 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流，称为 。使用时， 超过 时晶体管并不一定会损坏，但 值将降低。 （2）集电极－发射极反向击穿电压 指基极开路时，加于集电极与发射极间的反向击穿电压，一般为几十伏至几百伏以上。 （3）发射极－基极反向击穿电压 指集电极开路时，允许加在发射极－基极之间的最高反向电压，一般为几伏至几十伏。 （4）集电极最大允许功耗 使用中应使 允许管耗线，如图5-16所示。 图5-16 晶体管的安全工作区 第三节 场效应管 场效应晶体管，简称场效应管。 场效应管和晶体管的特点：场效应管是一种电压控制型器件。而晶体管是一种电流控制型器件。 优点：具有很高的输入电阻、热稳定性好、低噪声、抗辐射能力强、制造工艺简单、便于集成等。 分类：场效应管可分为结型和绝缘栅型两类，其中绝缘栅型（简称MOS管）应用更广泛 。 一、绝缘栅场效应管的结构及符号 MOS管：绝缘栅型场效应管是由金属、氧化物和半导体组成，因此又称为金属氧化物半导体场效应管，简称MOS管。 MOS管的分类：可分为增强型与耗尽型两种类型，每一种又分为N沟道和P沟道，即NMOS管和PMOS管。 增强型MOS管：图5-17为N沟道增强型MOS管结构示意图和图形符号，箭头向内表示N沟道。导电沟道的特点是原先没有导电沟道，在外电场的作用下才形成了导电沟道。 耗尽型MOS管： 图5-18为N沟道耗尽型MOS的结构示意图和图形符号。导电沟道的特点是在制造时就有一个原始导电沟道。 若是P沟道，则箭头朝外。 图5-17 N沟道增强型绝缘栅场效应管 a) 结构 b) 图形符号 结构 图形符号 图5-18 N沟道耗尽型绝缘栅场效应管 结构 图形符号 二、绝缘栅场效应管的特性 1．N沟道增强型MOS管特性 （5-6） （1）转移特性 图5-19a为某增强型NMOS管的转移特性曲线。当 时， ，这相当于晶体管输入特性曲线的死区；当 = 时，导电沟道开始形成，随着 的增大， 也增大，这说明 开始受到 的控制，它们之间的关系如下： 式中， 是 时的 （mA）， 称为NMOS管的开启电压（V）。 图5-19 增强型NMOS管的特性曲线 转移特性 输出特