电工电子技术及应用 第2版 作者 申凤琴 3 第6章.pptVIP

半导体的基本知识 杂质半导体—N型半导体 半导体的基本知识 杂质半导体—Ｐ型半导体 半导体的基本知识 一、PN结的形成 PN结的单向导电性 外加正向电压 正偏导通，呈低阻状态，电流较大 PN结的单向导电性 外加反向电压 反偏截止，呈高阻状态，电流近似为零 ＰＮ结具有单向导电性 正偏：在ＰＮ结上加正向电压时，ＰＮ结电阻很低，正向电流较大，ＰＮ结处于导通状态。 选用二极管的原则 二极管截止时所承受的反向电压在图6－14所示电路中可以看出。若VD1 、VD3 两只二极管导通时，就将u2加到了二极管VD2、VD4的两端，使这两只二极管因承受反向电压而截止，波形如图6－14d 所示，即二极管承受的最高反向电压 UDM= U2 IFM ≥IV URM≥UVM 从图6－12可知，每只二极管只在半个周期内导通，所以在一个周期内流过每个管子的平均电流只有负载电流的一半，即 IV=Io/2。 二极管的选择原则： 第二节 半导体晶体管及应用 一、晶体管的外形、结构和符号 1 ．外形 半导体三极管又称晶体三极管或双极型晶体管，简称晶体管。 图6-15 几种常见晶体管的外形和封装 晶体管的结构示意图如图6-16a所示，分为NPN型管和PNP型管。为了收集发射区发射过来的载流子以及便于散热，要求集电结面积较大，发射区多数载流子的浓度比集电区大，因此使用时集电极与发射极不能互换。晶体管的图形符号如图6-16b所示，符号中的箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。 图6-16 晶体管的结构和图形符号 结构 图形符号 a）PNP型 b）NPN型 1．晶体管的工作电压 图6-17 晶体管的工作电压 NPN PNP 二、晶体管电流分配关系和放大作用 图6-18 晶体管演示实验 2 ．晶体管各个电极的电流分配 实验电路如图6-18所示。此电路称为晶体管的共发射极放大电路。 4.05 3.18 2.36 1.54 0.72 0.01 /mA 3.95 3.10 2.30 1.50 0.70 0.01 /mA 0.10 0.08 0.06 0.04 0.02 0 /mA 表6-1 晶体管电流测量数据 从表6-1中的实验数据可以找出晶体管各极电流分配关系 （6-9） 3．晶体管的电流放大作用 从表6-1中的实验数据还可以看出： ，而且当调节电位器RP使 有一微小变化时，会引起 较大的变化，这表明基极电流 （小电流）控制着集电极电流 （大电流），所以晶体管是一个电流控制器件，这种现象称为晶体管的电流放大作用。 三、晶体管的特性曲线 1．输入特性曲线 图6-19 输入特性曲线 2. 输出特性曲线（图6-20） （1）截止区 发射结零偏或反偏，集电结也反向偏置。 （2）放大区 发射结正向偏置，集电结反向偏置。 与 成正比关系。 （3） 饱和区 发射结和集电结均处于正向偏置。晶体管失去放大作用， 处于“饱和”状态。 称为晶体管的饱和压降，此值很小，约为0.3V。 （4）击穿区 当 大于某一值后， 开始剧 增，这个现象称为一次击穿。一次击穿过程是可逆的。 晶体管具有“开关”和“放大”功能。 图6-20 输出特性曲线 四、晶体管的主要参数 1．电流放大倍数 （1）共发射极直流电流放大倍数 静态时 与 的比值称为共发射极静态电流放大倍数，即直流电流放大倍数 （6-11） （2）共发射极交流电流放大倍数 （ ） 动态时，Δ 与 的比值称为动态电流放大倍数，即交流电流放大倍数 （6-12） 估算时， 。 2．极间反向电流 （1）集电极—基极反向饱和电流 是晶体管的发射极开路时，集电极和基极间的反向漏电流，又叫反向饱和电流，小功率硅管的 小于1μA，锗管的 约10μA。 的测量电路如图6-21a所示。 （2）穿透电流