检测技术 作者 卜云峰 主编 第十章.pptVIP

* 3CCM型硅磁敏三极管参数表 参数 单 位 测试条件 规范 磁灵敏度 % Ec=6V Ib=3mA B= 0.1T 5% 击穿电压BUcco V Ic=10 ≥20V 漏电流Icc0 Ice=6A ≤5 功耗 mW ? 20mW 使用温度 ℃ ? -40~85℃ 最高温度 ℃ ? 100℃ 温度系数 %/℃ ? -0.10~-0.25%/℃ * 早在19世纪70年代，发现了霍耳效应。 由于霍耳效应十分微弱，致使很长一段时间来没有步入实用阶段。及至20世纪50年代末，随着三、五价化合物半导体材料的开发，才找到了电子迁移率非常大的新材料〔诸如：锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）、砷化镓（GaAs）等〕，成为霍耳器件制造所必需的新材料，从而使霍耳器件进入了广泛的应用时代。随着导体生产工艺的飞跃发展，霍耳器件水平也大大提高，并发展到单晶、多晶薄膜化和硅霍耳集成化阶段。 * 由于金属的电子浓度很高且电阻率很小，所以其霍耳系数、磁灵敏度都很小，因而不宜于制作霍耳器件；另外，器件的厚度越薄，灵敏度KH也越大，故而制作霍耳器件时，常采用减小厚度d的办法来增加灵敏度，也就是说，霍耳器件薄膜化是提高灵敏度的一个途径。但是值得注意一点是：不能认为d越薄越好。因为越薄将会增加霍耳器件的输入和输出阻抗从而增加功耗，这对电子迁移率不大的Ge材料来说是不适当的。 当控制电流或磁场方向换向时，霍耳电势方向也随之换向。若电流和磁场同时改变方向时，霍耳电势并不改变原来的方向。这就是说，霍耳器件的电流控制极和霍耳电势输出极具有对称性，不存在正、负之分，它们对磁场具有大小相等的正、反磁灵敏度。 * 在推导公式（2.6-17）和（2.6-18）时，是假设半导体内各处载流子作平行直线运动，且在L/W很大条件下推导出的。这也就是说在控制电极对霍耳电极无影响时才成立。但这一点实际中是做不到的，因为它是受许多因素影响的。 影响直线性的参数主要有：器件几何尺寸（L/W）的大小；霍耳电极的位置和大小；磁场的强弱；结晶取向的程度等因素。 在实际工作中，应根据对直线性的具体要求，采取具体办法，同时对各影响因素进行综合考虑来选取符合要求的线性度。 * 实际使用霍耳元件时，对于一定的磁感应强度，总希望得到较大的霍耳输出。此时，用加大控制电流的办法是可行的。但增大控制电流将使元件温度提高。因此，元件的允许温升规定着一个最大控制电流，这就是所谓额定电流。 为了提高元件的积灵敏度，需用霍耳系数大的半导体材料，并且元件的厚度越薄越好。因此，采用高纯度锗、硅就可得到积灵敏度高的元件。从提高磁场灵敏度观点出发，应选用高纯度、高迁移率的半导体材料较好，元件的厚度亦同样是越薄越好。因此，锑化铟被广泛地用作霍耳器件的材料。 * 温度对半导体的各种特性均有很大影响，霍耳器件也不例外。 * 这是由于在交变磁场作用下，元件与导体一样会在其内部产生涡流的缘故。图2.6-8所示为涡流的分布情况。由于元件电流极的短路作用，涡流可分解成上、下两部分，即大小相等而方向相反的电流流动（见图），该涡流的频率与外加磁场频率相同，相移为π/2。 图2.6-9 控制电流周围磁场引起的霍耳效应 图2.6-8 交变磁场作用下霍耳器件的涡流分布 涡流的存在会影响霍耳输出，这是因为：一方面涡流本身可感应出附加磁场作用于器件上（其频率与原磁场的相同，但相移为π/2），该磁场与控制电流作用产生一个附加的霍耳电势（与原霍耳电势同频，但相移π/2）；另一方面，如果器件被置于具有狭气隙的导磁材料中，由本身控制电流引起的感应磁场，也要对涡流产生霍耳作用（如图2.6-9所示），使涡流上、下两部分的霍耳效应互相增强，结果也产生一附加霍耳电势（其频率与原磁场相同，并叠加到总霍耳电势上）。由于上述电、磁相互作用，必然使总的霍耳电势增加。 * 霍耳开关集成传感器的原理及工作过程可简述如下：当有磁场作用在传感器上时，根据霍耳效应原理，霍耳元件输出霍耳电压VH，该电压经放大器放大后，送至施密特整形电路。当放大后的VH电压大于“开启”阈值时，施密特整形电路翻转，输出高电平，使半导体管V导通，且具有吸收电流的负载能力，这种状态我们称它为开状态。当磁场减弱时，霍耳元件输出的VH电压很小，经放大器放大后其值也小于施密特整形电路的“关闭”阈值，施密特整形器再次翻转，输出低电平，使半导体管V截止，这种状态我们称它为关状态。这样，一次磁场强度的变化，就使传感器完成了一次开关动作。。 * 霍耳开关集成传感器的工作特性曲线，反映了外加磁场与传感器输出电平的关系。当外加磁感应强度高于BOP时，输出电平