数字逻辑基础 -管庶安 第05章.pptVIP

第5章 半导体存储器 5.1 半导体存储器的分类 5.2 随机读写存储器RAM 5.2.2 DRAM 5.3 掩模只读存储器 MROM 5.4 可编程只读存储器 5.4.2 紫外线可擦除可编程只读存储器EPROM 5.4.3 电可擦除可编程只读存储器E2PROM 5.4.5 只读存储器应用举例 * 5.1 半导体存储器的分类 5.2 随机读写存储器 RAM 5.4 可编程只读存储器 5.3 掩模只读存储器 MROM 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 半导体存储器 用半导体材料制成的大规模集成电路，基本功能是存储数据，用于数字系统中需要临时或永久性保存数据的场合。 按功能分类 半导体存储器 随机读写 存储器 静态随机读写存储器（SRAM） 动态随机读写存储器（DRAM） 只读存储器 掩模只读存储器MROM 一次性可编程只读存储器（OTP） 紫外线可擦除可编程只读存储器（EPROM） 电可擦除可编程只读存储器（E2PROM） 闪烁存储器（FLASH E2PROM） RAM: 随机读写存储器（Random Access Memory） 数据可以随时存入(写)或取出(读)。断电数据会丢失。 ROM: 只读存储器（Read Only Memory） 存放固定数据，事先写入，工作中可随时读取。断电数据不会丢失 MROM：掩模只读存储器 （Masked ROM） 制造时固化数据，工作中只读，得不改写，适用于大批量产品。 OTP：一次性可编程只读存储器（One Time Programmble ROM） 使用前，用户一次性写入数据，不得改写。适用于小批量产品。 EPROM：紫外线可擦除可编程只读存储器（Erasable PROM） 数据写入后，可用紫外线照射擦除 。擦除后可重写。 E2PROM：电可擦除可编程只读存储器（Electrically Erasable PROM） 数据写入后，可施加电信号将数据擦除，并写入新数据 ，可反复擦 写上百次，适用于开发阶段或小批量产品的生产。可在线读写。 FLASH E2PROM：闪烁存储器。 具有E2PROM的擦写特点，擦除速度快得多，擦写次数达上千次。 按制造工艺分类， 双极型存储器：工作速度快，但功耗大、集成度不高； MOS型存储器：制作工艺简单，集成度高，功耗耗，容量大，成本低。 工作速度得到极大地提高，得到广泛应用。 5.2.1 SRAM 注意： 读出是无破坏性的，即，读操作不会使数据发生改变。 写入会改变原来存放的数据。即，不管原来存放的数据是什么，写操作后一定是新写入的数据。 MOS六管存储单元 T1~T4构成基本RS触发器 。 读取数据：使X、Y有效，T5~T8开通，触发器的两个互补输出端分别向 D、 端传出数据； 写入数据：先将待写入的数据送到 D、 端上，再使X、Y有效， T5~T8开通，外来数据强行使触发器置位或复位。 存储器：由大量的存储单元按阵列方式排列形成。 例：4×4 存储单元方阵构成的存储器，能存放16个二进制数据位： A0~A3： 地址，对某一存储单元进行选择。其中： A1A0：由X选择译码电路译为4路输出，用作行选择； A3A2：由Y选择译码电路译为4路输出，用作列选择。 只有行和列同时选中的存储单元才能通过D、 端进行访问。 读写控制电路，见右图。 I/O：数据输入/输出端 。 ：器件选择信号。 若 ，G1、G2、G3呈高阻态，读写操作被禁止 ； 若 ，G1、G2、G3开通，读写操作可进行，此时： 若 ，G3开通，数据D 从 I/O 输出； 若 ，G1、G2开通，数据由I/O 送到D、 端 。 集成 SRAM 6116 介绍： D7~D0： 数据输入/输出端，以字节为单位进行读写。 A10~A0：11位地址输入端，存储容量为2048字节（2KB）。 ：片选端。为0，允许读写。为1：备用（此时