电工学 作者 马占敖 主编 第六章.pptVIP

(1)稳定电压UZ与稳定电流IZ　 晶体管手册中给出的这两个参数是在规定的测试条件下，稳压管两端的电压和通过管子的电流值。 (2)最大稳定电流IZM与最大耗散功率PZM　 这两个参数都是为了保证管子安全工作而规定的。因为稳定电压是一定的，通过管子的电流越大，势必使管子的耗散功率增加，结温上升，以致烧坏管子。所以在应用时，实际的电流和功率值均不得超过这两个参数。 (3)动态电阻rZ　 由稳压管特性曲线可见，在反向击穿区，如果特性曲线A、B段越垂直于横轴，其稳压特性越好，而实际的特性曲线并非完全垂直于横轴。 (4)电压温度系数αZ　 当温度变化时，稳压管的稳定电压也会有所变化，通常用温度系数αZ表示管子的温度特性。 2.稳压管稳压电路的工作原理 整流滤波后的电压作为稳压电路的输入电压Ui。输出的稳定电压UZ也就是负载电阻RL上的电压。R为限流电阻，它与稳压管VS配合起稳压作用。 2.稳压管稳压电路的工作原理 图6-17　稳压管稳压电路 第6章 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 第6章 6.1　半导体的基本知识6.2　晶体二极管的伏安特性和主要参数6.3　单相桥式整流滤波电路6.4　硅稳压管与稳压电路 6.1　半导体的基本知识 1.本征半导体2. P型半导体和N型半导体3. PN结的形成4. PN结的单向导电特性 1.本征半导体 图6-1　硅共价键结构及电子空穴对的产生 2. P型半导体和N型半导体 (1) N型半导体　若在本征半导体硅或锗中掺入少量的五价元素(如磷)，由于每一个磷原子与相邻的4个硅原子组成共价键时，多出一个电子。(2) P型半导体　若在本征半导体硅或锗中掺入少量三价元素(如硼)，由于硼原子的最外层有3个价电子，每一个硼原子与相邻的3个硅原子组成共价键时，就产生了一个空位(空穴)。 (1) N型半导体　 若在本征半导体硅或锗中掺入少量的五价元素(如磷)，由于每一个磷原子与相邻的4个硅原子组成共价键时，多出一个电子。 (2) P型半导体　 图6-2　N型及P型半导体 3. PN结的形成 图6-3　空间电荷区的形成 4. PN结的单向导电特性 (1)PN结外加正向电压　在PN结两端加上正向电压，即P区接电源正极，N区接电源负极，简称正向连接，如图6-4a所示。(2) PN结外加反向电压　在PN结两端加上反向电压，即P区接电源负极，N区接正极，简称反向连接，如图6-4b所示。 (1)PN结外加正向电压　在PN结两端加上正向电压，即P区接电源正极，N区接电源负极，简称正向连接，如图6-4a所示。 图6-4　PN结的单向导电性 (2) PN结外加反向电压　在PN结两端加上反向电压，即P区接电源负极，N区接正极，简称反向连接，如图6-4b所示。  图6-4　PN结的单向导电性 6.2　晶体二极管的伏安特性和主要参数 1.伏安特性2.主要参数 6.2　晶体二极管的伏安特性和主要参数 图6-5　二极管符号 1.伏安特性 图6-6　伏安特性 2.主要参数 (1)最大整流电流IF　它是管子长期使用时所允许通过的最大正向平均电流。(2)最高反向工作电压URM　它是为防止二极管被反向击穿而规定的最高反向工作电压。(3)最大反向电流IR　它是指二极管处于反向偏置而未被击穿时电流的大小。(4)最高工作频率fM　二极管结电容的存在限制了工作频率。 (1)最大整流电流IF　 它是管子长期使用时所允许通过的最大正向平均电流。 (2)最高反向工作电压URM　 它是为防止二极管被反向击穿而规定的最高反向工作电压。 (3)最大反向电流IR　 它是指二极管处于反向偏置而未被击穿时电流的大小。 (4)最高工作频率fM　二极管结电容的存在限制了工作频率。  二极管结电容的存在限制了工作频率。因为，若加在二极管两端电压频率越高，高频信号能直接从结电容通过，这样就破坏了PN结的单向导电性，所以，每只二极管都有一个最高工作频率，选用管子时，要求最高工作频率高于使用的实际工作频率。 6.3　单相桥式整流滤波电路 1.整流电路的工作原理2.滤波电路的作用 1.整流电路的工作原理 最典型的单相桥式整流电路的组成如图6-7所示。图中Tr为电源变压器，它的作用是将电网电压(50Hz，220V)变换为整流所需要的交流电压。变压器二次电压u2=2U2sinωt。RL是要求直流供电的负载电阻。4只二极管VD1～VD4接成桥形，故有桥式整流电路之称。 1.整流电路的工作原理 图6-7　单相桥式整流电路 1.整流电路的工作原理 图6-8　桥式整流电路的电压和电流波形 1.整流电路的工作原理 图6-9　半波整流电路 2.滤波电路的作用