电气测试技术第3版 作者 林德杰 4.10 光电式传感器.pptVIP

4.10 光电式传感器 4.10.1 光电效应及其器件 4.10.2 光电元件的特性 4.10.3 光电信号的检测方法 4.10.4 光电传感器的应用实例 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 光电传感器原理 光电传感器通常是指能敏感到由紫外线到红外线光的光能量，并能将光能转化成电信号的器件，原理如下图。 4.10.1 光电效应及其器件 光照射在某些物质上，物质的电子吸收光子的能量而释放电子的现象称为光电效应。释放的电子称为光电子。能产生光电效应的物质称为光电材料。 外光电效应及其器件 光照射在某些光电材料上时，材料表面的电子吸收光子的能量，若电子吸收的能量足够大，它能克服正离子的束缚而逸出材料的表面，进入外界空间，这种现象称为外光电效应。 式中： h——普朗克常数=6.626×10-34(J·s)  γ——光的频率（s-1） m——电子质量；  v——电子逸出速度。 外光电效应 因此，光电材料表面多数涂覆一层薄的逸出功小的化合物，例如，铯、氧化铯和锑化铯等。入射光的频率愈高（其波长愈短），其光子能量愈大，愈容易产生外光电效应，而与光强无关。在能产生外光电效应的前提下，单位时间内逸出的电子数量与光强成正比，因此光电流与光强成正比。 根据外光电效应制造的光电元件有光电管、充气光电管和光电倍增管等。 1.光电管 光电管种类繁多，典型产品有真空光电管和充气光电管。由于真空光电管有稳定性好、惰性小和温度系数小等优点，故它是自动检测中常用的检测元件，其工作原理见图4-111。由图可见，在真空玻璃管内密封有光电阳极A和光电阴极K。当光线照射在光电阴极K上时，电子从阴极表面逸出，并被光电阳极的正电场吸引，外电路产生光电流 ，在负载电阻 上的压降 为输出电压。 图4-111 光电管的工作原理 2.光电倍增管 与光电管比较，光电倍增管有光电流放大作用，这是由于有 个光电流进行放大的“倍增极”的缘故。“倍增极”或称为“次阴极”，它受到电子轰击后能发射更多的“次级电子”。各倍增极上顺次加上愈来愈高的正电压，使得前级的次电子加速轰击下一倍增极，见图4-112。由于光电倍增管的放大倍数K相当高（对倍增极，K可达106），即使极微弱的光照，外电路 也能提供较大电流（其灵 敏度达10A/lm）。因此， 它不能受强光照射，否则容易造成永久性损坏。 图4-112 光电倍增管的工作原理 光导效应及其器件 绝大多数高电阻率的半导体受光照射时，由于吸收了光子的能量，其电阻率变化的导电现象称为光导效应。它属于内光电效应。 产生光导效应的条件是光子的能量必须大于半导体禁带的能级宽度，因此每一种半导体皆有其固有入射光频率。如果半导体是掺杂半导体，因为从杂质上释放一个电子（或空穴）所需的能量，比激发一个半导体的价电子所需能量小，所以频率较低的光也能使它产生光导效应。根据光导效应的光电元件，主要有光电阻或称光敏电阻。 当光照射在光电阻上时，其导电性能增加，电阻值下降，光强度愈强，其阻值愈小；若停止光照，其阻值恢复到原始值。 光生伏特效应及其器件 光照射在具有PN结的半导体材料上，在PN结两边产生电动势的现象称为光生伏特效应。据此效应制造的光电元件有光电池、光电二极管、光电三极管、光控晶闸管和光耦合器等。 1.光电池 它的工作原理见图4-113a。 根据材料不同，有硅光电池、硒光电池、砷化镓光电池和锗光电池。前三种得到广泛的使用。 2.光电二极管 其结构和工作原理与光电池相似，见图4-113b。 图4-113 光电池和光电二极管的工作原理 a）光电池 b）光电二极管 3.光电三极管 光电三极管的电符号及工作原理见图4-114c和b。与光电二极管比较，光电三极管有两个PN结，见图4-114a。光电三极管的灵敏度较光电二极管的高。 图4-114 光电三极管的工作原理 a）结构 b）工作原理 c）电符号 4.光控晶体闸流管 光控晶体闸流管是近几年来发展的光电半导体元件，代号为GSCR，其结构和工作原理见图4-115。 图4-115 光控晶体闸流管结构及其工作原理 光耦合器用于隔离用途以提高传感器的抗干扰能力时， 与 必须是不同电源，光耦合器两边的参考“地”不能连在一起，见图4-116a、c，否则起不了提高抗干扰能力的作用。 图4-116 工作原理与输入输出特性 a）工作原理 b）输入输出特性 c）同相输出 5.光耦合器 它是近几年来发展起来的新型光电半导