电路与电子技术基础 第2版 作者 王兆奇 作者 李心广 第6章 半导体器件的基本特性.pptVIP

3.光敏二极管 图６-１９　光敏二极管的外形、符号、等效电路和特性曲线 4.发光二极管 图６-２０　发光二极管 6.2.4　半导体二极管的应用 　单相整流电路　二极管限幅电路(Clipping Circuit) 　单相整流电路 利用二极管的单向导电特性将双向变化的交流电转换为单相脉动的直流电，此转换过程称为整流，脉动直流电中除直流成分外，还含有称为纹波的交流成分，利用储能元件电容或电感滤除纹波的过程称为滤波(Filtering)。 　二极管限幅电路(Clipping Circuit) 1)当ui＞5V时，VD2正向偏置，VD1反向偏置，VD2导通，VD1截止，uo=5V。2)当ui＜－5V时，VD1正向偏置，VD2反向偏置，VD1导通，VD2截止，uo＝－5V。3)当－5V＜ui＜5V时，VD1、VD2均反向偏置而截止，uo=ui。 　二极管限幅电路(Clipping Circuit) 图６-２1　二极管双向限幅电路 6.3　半导体晶体管 6.3.1　晶体管的结构及类型6.3.2　晶体管的放大作用6.3.3　晶体管的特性曲线6.3.4　晶体管的主要参数 6.3　半导体晶体管 图６-２2　晶体管的外形 6.3.1　晶体管的结构及类型 图６-２3　晶体管的结构示意图和符号 6.3.2　晶体管的放大作用 　载流子的传输过程　电流分配 　载流子的传输过程 1.发射2.扩散和复合3.收集 　电流分配 图６-２4　晶体管的电流分配 6.3.3　晶体管的特性曲线 　输入特性　输出特性 　输入特性 图６-２5　晶体管的特性曲线 　输出特性 1)放大区：特性曲线上平坦的部分，其特征是发射结正向偏置(uBE大于发射结开启电压uon)，集电结反向偏置。2)饱和区：曲线上拐点左面的区域，其特征是发射结和集电结均处在正向偏置。3)截止区:在曲线上靠近横轴的部分，其特征是发射结电压小于开启电压uon且集电结反向偏置，此时IB=0，iC≤ICEO。 6.3.4　晶体管的主要参数 1.电流放大系数β，2.极间反向电流ICBO，ICEO3.特征频率fT4.集电极最大允许电流ICM5.极间反向击穿电压6.集电极最大允许功率PCM 图６-２6　晶体管极限参数 6.3.4　晶体管的主要参数 极间反向击穿电压 1)UCBO：发射极开路时，集电极-基极间的反向击穿电压。2)UCEO：基极开路时，集电极-发射极间的反向击穿电压。3)UCER：基极与发射极间有电阻R时，集电极-发射极间的反向击穿电压。4)UCES：基极与发射极短路时，集电极-发射极间的反向击穿电压。5)UEBO：集电极开路时，发射极-基极间的反向击穿电压。 集电极最大允许功率PCM (1)在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。(2)当加在PN结上的反向电压达到一定值后，流过PN结的电流会。(3)稳压二极管的稳压区是其工作在。(4)当晶体管工作在放大区时，其外部条件是。(5)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。 第６章　半导体器件的基本特性 6.1　半导体基础知识6.2　PN结及半导体二极管6.3　半导体晶体管 在线教务辅导网： 教材其余课件及动画素材请查阅在线教务辅导网 QQ:349134187 或者直接输入下面地址： 6.1　半导体基础知识 6.1.1　本征半导体6.1.2　杂质半导体 6.1.1　本征半导体 图６-１　硅和锗的简化原子结构模型 6.1.1　本征半导体 图６-２　本征半导体晶体的结构示意图 6.1.1　本征半导体 图６-３　本征半导体中的自由电子和空穴 6.1.2　杂质半导体 　N型半导体　P型半导体 图６-４　N型半导体的结构示意图 　N型半导体 　P型半导体 图６-５　P型半导体的结构示意图 6.2　PN结及半导体二极管 6.2.1　异型半导体的接触现象6.2.2　PN结的单向导电特性6.2.3　半导体二极管6.2.4　半导体二极管的应用 6.2.1　异型半导体的接触现象 图６-6　载流子的运动 6.2.2　PN结的单向导电特性 　PN结外加正向电压　PN结外加反向电压　PN结的电流方程　PN结的伏安特性　PN结的电容效应 图６-７　PN结的单向导电特性 6.2.2　PN结的单向导电特性 图６-8　PN结的伏安特性 6.2.2　PN结的单向导电特性 图６-９　耗尽层的电荷量随外加电压变化 6.2.2　PN结的单向导电特性 　PN结的电容效应 1.势垒电容2.扩散电容 图６-１０　N区空穴分布曲线 　PN结的电容效应 6.2.3　半导体二极管 　二极管的结构　二极管的伏安特性　二极管的主要参数　特殊二极管 6.2.3　半导体二极管 图６-１１