《西电二零一六年电子设计竞赛试题初赛》.docVIP

西 安 电 子 科 技 大 学 考试时间180分钟 　电子设计竞赛选拔试题 　总分：　　　　　　　 题号 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 分数 题号 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 分数 1. 考试形式：闭卷； 2. 本卷共２3题， 满分１４０分 班级 学号 姓名 任课教师 题目全部答试题卷上 Part 1 数字电子技术（３０分） 1. （４分）已知逻辑函数 (1) 化简该函数为最简与或式： (2) 画出用两级与非门实现的最简与或式电路图： 2. （4分）分别写出图1各电路的输出函数式（任意形式） 图1 3. （4分）某地址译码电路如图2所示，当输入地址变量A7-A0的状态分别为 、 时，、分别才为低电平（被译中）。 图2 4．（４分）触发器电路的输入信号波形如图3所示，试分别写出D触发器的Q和Q1的表达式，并画出其波形。 图3 Qn+1= Q1 = 5. （４分）指出图4计数器电路的状态变化范围，其模值为多少？ 若电路不变，要得到该电路的模值M = 200，则预置输入EFGK LMNO为多少？ 图4 6. （10分）试用74161、3-8译码器和少量SSI门，实现图7所示波形V01、V02，其中CP为输入波形。要求： （1）列出计数器状态与V01、V02的真值表； （2）画出逻辑电路图。 图7 74161十六进制计数器功能表 输入 输出 CP CR LD P T D C B A QDQCQBQA × 0 × × × ×××× 0 0 0 0 ↑ 1 0 × × d c b a d c b a ↑ 1 1 1 1 ×××× 计数 × 1 1 0 × ×××× 保持 × 1 1 × 0 ×××× Part 2 模拟电子技术 （２５分） 7. 　(６分) 下面的三极管，已经测出三个极的电位（单位V）。试说明晶体管类型和晶体管的状态。 (a) 饱和区 (b) 放大区 (c) 截止区 8. 　(５分)　三极管放大电路如下图所示，1、找出图中的错误，并说明该错误产生的影响。根据该图添加或者删除元件，改画出正确的共射极和共集电极放大电路。 9. 　(６分)　在下面两个电路中，用的运放及外围电阻相同，正负电源供电，输出最大幅值12V。(a)、(b)各自的电路作用是什么？根据输入画出输出波形，在输出波形图中的纵轴标出电压单位。 10. 　(８分)　设计一个能够对DC~1MHz信号进行放大的电路，输入电压为－0.5V到1.5V，输出电压为0～3V。用的运放为单电源供电、高共模抑止比的运算放大器。写出设计过程，画出电路。 Part 3 　微机原理与接口技术及单片机基础　（２５分） 11.（8分）某型号CPU对外部数据存储器（RAM）和外部I/O端口的编址采用的是统一编址方式，地址线为A15~A0。在以该型号的CPU组成的计算机系统中配有一接口模块，该接口模块片内占用16个端口地址8300~830FH，试设计产生该接口模块的片选信号的译码电路（低电平有效）。 12. （7分）8086CPU的AD15～AD0为数据允许信号，低电平有效。当信号有效时，表示CPU准备好接收和发送数据。(输出，三态)为数据收/发信号，表示CPU是接收数据（低电平），还是发送数据（高电平）。74LS245双向缓冲器的引脚及功能如图A所示。试利用74LS245数据双向缓冲器设计系统数据总线D15～D0 (a) 74LS245逻辑及引脚 (b) 74LS245功能 图A 74LS245引脚及功能图 13.（10分）在大学期间，你应用过哪种型号的CPU（单片机）参加过具体电路设计？ （1）列出所使用的CPU（单片机）的性能特点 （２）画出自己所设计的电路系统框图，简述系统组成原理、实现的功能及采用的技术。 （３）描述系统开发过程，包括设计输入、设计实现及设计验证等过程的具体内容、方法与步骤。（