电磁场与微波技术 第2版 作者 黄玉兰 第4章.pptVIP

图4.15 对理想导体平面斜入射 θ′=θ （4.113） 式（4.113）表明反射角等于入射角，这是斯耐尔反射定律。 E-0=E+0 （4.114） 式（4.114）表明入射波与反射波电场振幅相等。 （4.115） （4.116） （4.117） 在z0区域合成场有5个特点。 (1)在z方向为驻波。电磁场量中振幅cos(βzcosθ)或sin(βzcosθ)表示场沿z方向为驻波。 (2) 在x方向为行波。电磁场量中相位e-jβxsinθ表示场沿x方向为行波。 (3) 合成场不是TEM波，因为在电磁波传播的x方向，电场有纵向（x方向）分量。由于磁场只有横向（y方向）分量，简称这种横磁波为TM波。 (4) 合成场不是均匀平面波。因为在等相位面上，场量振幅不是常数。 (5) x方向行波的相速度为 （4.118） 相速度是等相位面移动的速度，它不是能量传播的速度。相速度可以大于光速。 4.5.2 对理想介质平面的斜入射 1. 平行极化波的斜入射 （a）平行极化 （b）垂直极化 图