光纤通信技术 彭利标 Fiber4-1光源和光发射机新.pptVIP

内容提要： §4.1光发射机概述 §4.2LED及组件 §4.3LD及组件 §4.4光的调制 §4.5光发射机组成 本章教学提示 教学目的： 了解光源的发光过程、光源的种类。 掌握半导体光源的组成结构和各组成部分的作用，光调制器的种类及特点。 掌握光发射机的组成原理。 教学重点： 半导体激光器组件的结构，光调制器的特点、应用场合，主要参数。光发射机的组成原理。 § 4.1光发射机概述 二、光端机结构图 两种结构：光/电/光转换 全光网络（EDFA） 三、光源的基本要求 ： 1、波长单一： 对光源所发出光的波长要尽量单一(线宽Δλ1/2越小越好 )； 2、低损耗窗口： 光源发出波长应位于光纤的三个低损耗窗口（ λ0应为 0.85μm、1.31μm、1.55μm） 3、功率大： 对光源所发光的功率要求越大越好，以便远距离传输。 4、电光转换效率高 节能散热，可靠性高，寿命长，温度稳定性好。 5、方向性好 （前向光、背光）体积小，与光纤之间有较高的耦合效率 6、光源的噪声N要小 提高信噪比。 7、响应速度快 可进行光强度调制，携带信号。 四、常用的光源 1、半导体光源特点： （1）低损耗传输 半导体光源发出的光波长适合在光纤的低损耗窗口传输； （2)体积小 半导体光源体积小，发光面积和光纤的纤芯直径在同一数量级，与光纤有较高的耦合度，提高光信号与光纤的耦合效率； (3)调制方便 很方便地将基带信号电流注入光源驱动电路，进行强度调制，达到非相干调制的目的。 (4)可靠性高 半导体光源的可靠性高，寿命长，不仅发射功率大、与光纤的耦合效率高、响应速度快，而且发出的光相干性好，所以半导体光源在高速率、大容量数字光纤通信系统中得到了广泛应用。 2、半导体光源的形式： （1）LED及组件(Light Emitting Diode） （2）LD及组件(Laser Diode)。 § 4.2 LED及组件 一、光源的类型 1、信号转换 在光纤通信系统中，首先要将电信号转换为光信号，这就需要通信光源。 2、常用光源 半导体发光二极管LED(Light Emitting Diode) 半导体激光二极管LD(Laser Diode) 另外还有光纤激光器等光源。 二、PN结具有单向导电性 1、正向导通： 当PN结加上正向电压时: P(+) I N(-) 2、反向截止： 当PN结加反向电压时: I=0 3、PN结 有源层----发光主题 正向导通 三、 同质结和异质结 1、同质结： 早期研制的半导体激光器LD和发生二极管LED一般采用同质结构。 同质结就是在PN结的两边使用相同的半导体材料，如硅材料(但分P型硅、N型硅)。 2、同质结的特点 采用同质结结构的激光器存在如下问题： 首先是对光波的限制不完善； 其次是对载流子的限制不完善 结果： 阈值电流Ith大 3、（双）异质结 为了降低同质结半导体激光器的阈值电流Ith ，就要从上述两个方面改进。 双异质结(DH)是窄带隙有源区(GaAs)材料被夹在宽带隙的材料(GaAlAs)之间构成。由于双异质结激光器在有源区两侧，既限制了载流子，又限制了光波。 所以它的光强分布基本被约束在有源区，而且阈值电流大大降低。 四、半导体发光二极管（LED） 1、 LED材料选择 光纤系统中发光二极管LED采用： Ga(镓)、 As(砷)、 In(铟)、 P(磷)、 Al(铝)等材料的化合物制成。 例如： 以GaAs为衬底的GaAs或GaAlAs（异质结） 以InP为衬底的InGaAs或InGaAsP材料制成（异质结）。 2、LED的发光结构 （1） LED的分类 从结构上分： 正(表)面发光型(SLED) 侧面(边)发光型(ELED) （2） LED的发光特点 光纤通信系统中为侧面发光型(ELED) ，激光二极管LD的结构相似，可提高与光纤的耦合效率，带宽较宽，而且光谱的线宽Δλ1/2较窄。 发光的发散角度 3、LED的发射波长 （1）lGaAs/GaAs半导体发光二极管LED，其发射光的峰值波长λ0为0.8～0.95μm， （2）InGaAsP/InP LED发射光的峰值波长 λ0为1.3和1.55μm。 且一般为高功率LED。 （3）波长λ0计算 频率为：υ=Eg／h 波长λ为：λ=c/υ =(3 ×108 ×10