电工学 下册 电子技术 林珊 第1章新.pptVIP

1.1.1　本征半导体 用半导体材料制作半导体器件时，要高度提纯使之制成晶体，半导体一般都具有晶体结构，所以半导体也称为晶体，这就是晶体管名称的由来。这种完全纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体(Intrinsic Semiconductor)。 1.1.2　杂质半导体 N型半导体 2. P型半导体 1.正向特性2.反向特性 3.反向击穿特性 4.二极管的伏安特性方程 3.极限参数(1)集电极最大允许电流ICM　晶体管的集电极电流IC超过一定值时，晶体管的β值将要下降，当β值下降到正常值的2/3时的集电极电流，称为集电极最大允许电流ICM。(2)集-‥射极反向击穿电压U(BR)CEO　晶体管的基极开路时，加在集电极与发射极间的最大允许电压称为集-‥射极反向击穿电压U(BR)CEO，其值通常为几十伏至几百伏。(3)集电极最大允许耗散功率PCM　晶体管正常工作时，集电极的功率损耗PC=，PC的存在使集电结的温度(结温)升高。 【思考与练习】 1.5.1　晶闸管的导通条件是什么？关断条件是什么？ 1.5.2　晶闸管导通后，如果断开门极的触发信号，结果怎样？ 1.5.3　怎样用万用表判断晶闸管的好坏？晶闸管在使用时应注意 什么？ 图1-‥43　习题1-‥4的电路 (1)VA=VB=0V;(2)VA=3V,VB=0V;(3)VA=VB=3V。 图1-‥44　习题1-‥5的电路 图1-‥46　习题1-‥7的电路 图1-‥48　习题1-‥10的电路 图1-‥49　习题1-‥11的电路 在线教务辅导网： 更多课程配套课件资源请访问在线教务辅导网 4)在光通信设备中作为光辐射源。5)照明用点光源。3.光敏二极管 图1-‥23　光敏二极管 【思考与练习】1.2.1　二极管的主要特性是什么？其主要参数是什么？1.2.2　什么是二极管的死区电压？为什么会出现死区电压？硅管和锗管的死区电压约为多少？1.2.3　二极管的反向电流与反向电压是否有关？为什么？ 1.3　晶体三极管 图1-‥24　几种常见封装的晶体管实物图例、外形及引脚排列 图1-‥25　晶体管的结构示意图和图形符号 1.3.1　晶体管的结构 1.3.2　晶体管的电流分配和放大原理 图1-‥26　晶体管共射极电路图与内部载流子的运动 1.3.3　晶体管的伏安特性曲线 图1-‥27　晶体管伏安特性的测试电路 图1-‥28　晶体管的伏安特性曲线 1.输入特性曲线2.输出特性曲线 (1)截止区　IB=0对应的输出特性曲线以下的区域称为截止区。(2)放大区　输出特性曲线的近似水平部分是放大区。(3)饱和区　饱和区是对应于UCEUBE的区域，此时发射结和集电结均处于正向偏置，在饱和区，IB的变化对IC的影响较小，两者不成正比，以致使IC几乎不能随IB的增大而增大，即IC不受IB的控制，晶体管失去放大作用，IC处于“饱和”状态。 1.3.4　晶体管的主要参数 1.电流放大系数2.极间反向电流(1)集-‥基极反向饱和电流ICBO　当发射极开路时,由于集电结处于反向偏置，集电区和基区中的少数载流子向对方漂移运动所形成的反向漏电流称为集-‥基极反向饱和电流ICBO。(2)集-‥射极反向饱和电流ICEO　当基极开路时，集电结处于反向偏置和发射极处于正向偏置时的集电极电流称为集-‥射极反向饱和电流ICEO。 图1-‥29　晶体管的安全工作区 1.3.5　晶体管的小信号模型 图1-‥30　晶体管小信号模型的建立 【思考与练习】 1.3.1　晶体管具有电流放大作用的内部条件和外部条件分别是什么？1.3.2　NPN型晶体管处在放大状态，其三极电位应满足什么关系？PNP型晶体管呢？1.3.3　晶体管的发射极和集电极是否可以调换使用？为什么? 1.4　场效应晶体管 1.4.1　绝缘栅型场效应晶体管的基本结构和工作原理1.绝缘栅型场效应晶体管的结构及符号 图1-‥31　N沟道增强型MOS管的结构与图形符号 1.4　场效应晶体管 图1-‥32　N沟道耗尽型MOS管的结构与图形符号 图1-‥33　N沟道增强型MOSFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (1)转移特性　转移特性曲线是描述当UDS保持不变时UGS对ID的控制关系ID=f(UGS)。 2.绝缘栅场效应晶体管的特性曲线 (2)输出特性　增强型NMOS管的输出特性是指当UGS并保持不变时，漏-‥源极电压UDS变化会引起漏极电流ID的变化，它们之间的关系ID=f称为输出特性，亦称漏极特性曲线。 图1-‥34　N沟道耗尽型MOSFET的转移特性曲线和输出特性曲线 (1)开启电压UGS(th)　当UDS为定值时，形成漏极电流ID所需要的最小栅-‥源极间的电压|UGS|值称为开启电压UGS(th)，它