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第1章 常用的半导体器件 1.1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结的形成及其单向导电性 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的基本结构 1.2.2 半导体二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.4 二极管的应用举例 1.2.5 特殊的半导体二极管 1.3 晶体三极管 1.3.1 晶体管的结构 1.3.2 晶体管的电流分配和放大原理 1.3.3 晶体管的伏安特性曲线 1.3.4 晶体管的主要参数 1.3.5 晶体管的小信号模型 1.1 半导体的基础知识 1.1.1 本征半导体 1.1.2 杂质半导体 1.1.3 PN结的形成及其单向导电性 热激发: 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的基本结构 1.2.2 半导体二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.4 二极管的应用举例 1.2.5 特殊的半导体二极管 1.3 晶体三极管 1.3.1 晶体管的结构 1.3.2 晶体管的电流分配和放大原理 1.3.3 晶体管的伏安特性曲线 1.3.4 晶体管的主要参数 1.3.5 晶体管的小信号模型 1.4 场效应晶体管 1.4.1 绝缘栅型场效应管的基本结构 和工作原理 1.4.2 绝缘栅场效应管的主要参数 1.4.3 绝缘栅场效应管简化的小信号模型 1.4.4 绝缘栅场效应管与普通晶体管的比较 及使用注意事项 *1.5 晶闸管 1.5.1 晶闸管的基本结构 1.5.2 晶闸管的工作原理 1.5.3 晶闸管的伏安特性 1.5.4 晶闸管的主要参数 1.5.5 晶闸管的测试与使用 1.4.4 绝缘栅场效应管与普通晶体管的比较 及使用注意事项 1.场效应管与晶体管的比较 2.场效应管的使用注意事项 1.3.1 晶体管的结构 N N P 发射极 E 基极 B 集电极 C 发射结 集电结 — 基区 — 发射区 — 集电区 emitter base collector NPN 型 P P N E B C PNP 型 E C B E C B 1.3.2 晶体管的电流分配和放大原理 晶体管放大的条件 内部 条件 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电结面积大 外部 条件 发射结正偏 集电结反偏 满足放大条件的三种电路 ui uo C E B E C B ui uo E C B ui uo 共发射极 共集电极 共基极 晶体管内部载流子的传输过程 1) 发射区向基区注入多子电子， 形成发射极电流 IE。 IE 少数与空穴复合，形成 IB 。 IB 2)电子到达基区后 3) 集电区收集扩散过 来的载流子形成集 电极电流 IC 伏安特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直观地分析管子的工作状态 2）合理地选择偏置电路的参数，设计性能良好的电路 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线 1.3.3 晶体管的伏安特性曲线 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 1. 输入特性曲线 O 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE(on) NPN型硅管:(0.6 ? 0.8) V PNP型锗管:(-0.2 ? -0.3) V 取 0.7 V 取 -0.2 V 2. 输出特性曲线 iC / mA uCE /V 100 μA 80 μA 60 μA 40 μA