基于忆阻器的实现和分析.docVIP

湖 南 科 技 大 学 毕 业 设 计（ 论 文 ） 题目 作者 学院 专业 学号 指导教师 二〇〇 年 月 日 附件2：指导人评语示例 湖 南 科 技 大 学 毕业设计（论文）指导人评语 [主要对学生毕业设计（论文）的工作态度，研究内容与方法，工作量，文献应用，创新性，实用性，科学性，文本（图纸）规范程度，存在的不足等进行综合评价] 指导人： （签名） 年 月 日 指导人评定成绩： 附件3：评阅人评语示例 湖 南 科 技 大 学 毕业设计（论文）评阅人评语 [主要对学生毕业设计（论文）的文本格式、图纸规范程度，工作量，研究内容与方法，实用性与科学性，结论和存在的不足等进行综合评价] 评阅人： （签名） 年 月 日 评阅人评定成绩： 附件4：答辩记录示例 湖 南 科 技 大 学 毕业设计（论文）答辩记录 日期： 学生： 学号： 班级： 题目： 提交毕业设计（论文）答辩委员会下列材料： 1 设计（论文）说明书 共 页 2 设计（论文）图 纸 共 页 3 指导人、评阅人评语 共 页 毕业设计（论文）答辩委员会评语： [主要对学生毕业设计（论文）的研究思路，设计（论文）质量，文本图纸规范程度和对设计（论文）的介绍，回答问题情况等进行综合评价] 答辩委员会主任： （签名） 委员： （签名） （签名） （签名） （签名） 答辩成绩： 总评成绩： 摘 要 忆阻器的定义由美籍华裔科学家蔡少棠在1971年的时候提出的，由于当时制造技术的限制，直到2008年惠普公司才在实验室制造出第一个具有纳米尺度的物理忆阻器件，由此忆阻器得到长足的发展。根据蔡少棠的定义，忆阻器是由电荷量和磁通量两者决定的一种非线性电路元件,因其具有记忆和纳米尺度特性而使得它在人工神经网络、新型存储器以及模拟电路等领域中具有潜在应用。由于忆阻器是一个非线性元件，因此其还具有丰富独特的复杂非线性特性，由忆阻器构成的电路系统可能会体现出更为复杂的混沌行为，忆阻混沌系统除了对电路参数体现出敏感性外，还依赖于忆阻器的初始值，可能会体现出更强的伪随机性，因此忆阻器具有广泛的应用。 忆阻器的理论研究虽然也经过了三十年的研究发展并且取得了一些科研成果，但大都停留在基础理论研究方面。目前应用较多的忆阻器模型包括惠普模型和窗口函数模型，通过对这几种忆阻器模型的数值仿真分析以及电路仿真分析，再结合忆阻器的阻值变化曲线的规律，重新改写窗口函数对忆阻器模型进行改进，并分析改进之后忆阻器的曲线，仿真结果符合理论分析。 2008年物理意义上的忆阻器件出现，忆阻器的研究才进一步的有所发展，进行出现一大参考文献关于忆阻器的研究和应用方面，而且有些研究理论还使用模拟电路来对其进行电路仿真研究证实。而混沌学科经过了比较长的理论研究时期，其科研应用已经相对成熟，而基于忆阻混沌电路的研究则成为混沌电路的一个新的研究方向，其相关理论研究才刚刚起步，应用前景比较广泛。 关键词：忆阻器模型；非线性电路；忆阻器混沌电路；混沌保密通信 ABSTRACT Memristor is proposed by the Chinese-American scientist Chua L. O in 1971. It was limited by laboratory conditions; the first physical memristor device is produced in the laboratory until 2008, then the memristor has been tre