7.1霍尔传感器.pptVIP

7.1 霍尔传感器 利用半导体材料的霍尔效应现象所制成的传感器称为霍尔传感器。霍尔传感器具有结构简单、体积小、重量轻、频率响应范围宽等优点，可实现无接触测量，可用于力、压力、微位移、磁感应强度、功率、相位等信号的测量，因此在测量技术、自动化技术、信息处理技术等领域得到了广泛应用。 7.1 霍尔传感器 7.1.1 霍尔元件结构 金属或半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片，当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电动势，上述半导体薄片称为霍尔元件。 7.1 霍尔传感器 7.1 霍尔传感器 7.1.2 霍尔传感器工作原理 以N型半导体霍尔元件为例来说明霍尔传感器的工作原理。在图7.1（a）中的激励电流端（a、b端）通入电流I，并将薄片置于磁场中。设该磁场垂直于薄片，磁感应强度为B，这时电子（运动方向与电流方向相反）将受到洛仑兹力FL的作用，向内侧偏移，该侧形成电子的堆积，从而在薄片的c、d方向产生电场E。 7.1 霍尔传感器 随后的电子一方面受到洛仑兹力FL的作用，另一方面又同时受到该电场力 FE的作用。 从图 7.1（a）可以看出，这两种力的方向恰好相反。电子积累越多，FE也越大，而洛仑兹力保持不变。最后，当 FL+FE=0 时