ald方法制备超薄hfolt;,2gt;材料的电学特性.pdfVIP

摘要 摘要 CMOS器件按比例缩小要求Si02绝缘层厚度越来越小，导致栅极漏电流急剧 增加，器件的可靠性下降。高介电常数栅介质二氧化铪(Hf02)的应用可以解决Si02 作为栅介质所面临的问题，本文将讨论H幻2做为栅介质的可靠性问题。 本论文首先介绍了原子层淀积(ALD)I艺的原理和特点，利用该工艺可以淀 积出高质量Hf02薄膜介质。接着讨论了MOS电容结构的理想和实际C．V特性， 分析氧化层中存在的各种电荷和缺陷，以及金属半导体功函数差，对MOS结构的 实际C．V特性的影响；讨论了超薄氧化层的漏电流传导机制。针对汞探针在测量 C。V特性的过程中存在的频率色散问题，采用了新的模型。在该模型中加入汞探 针与Hf02薄膜之间的界面效应参数，并且给出了各模型中各参数的提取方法。利 用该模型修J下的实验曲线，消除了频率色散。最后，使用该方法对Hf02介质薄膜 的特性进一步进行研究：中间Si02层、高温退火的影响、多晶硅栅淀积前后介质 特性等。 最后，在实验室条件下制备出不同等效氧化层厚度(EOT)的样品，并在不同的 温度条件下进行退火实验，测得各样品的C．v和I．V特性曲线。结果表明，原子 层淀积(ALD)I艺制备的超薄Hf02栅介质的具有良好的电容特性和漏电流特性， 高