alganga hemt器件的辐照效应研究.pdfVIP

摘要 摘要 ⅡI族氮化物材料是制造高压、高温、高频(RF)电子器件的理想材料，对其 研究成为了国内外广泛关注的焦点。由于综合性能优势，氮化镓(GaN)基高电子 迁移率晶体管(HEMT)等器件成为航天等领域应用的重要选择。对于空间辐射环 境的影响及长时间高偏置工作给器件带来的可靠性问题，是目前国内外尚未深入 开展的基础研究工作。本论文针对新型GaN基HEMT器件的辐射损伤效应和高场 退化效应作为研究内容，开展了实验和理论两方面系统深入的研究。 实验方面，本论文针对GaN基HEMT器件，首次采用多种辐射源(包括60Co 丫射线、高能电子、中子和质子)系统地利用各种表征技术研究了材料和器件的辐 射损伤效应，得到了A1GaN／GaNHEMT的主要辐射损伤机制。在理论上，创新地 建立了针对GaN基HEMT器件有效的辐射损伤模拟方法，并针对辐射感生陷阱电 荷损伤机制进行了深入的仿真实验和理论分析。本论文还通过研究高场应力对 GaN基器件特性的影响，得到了A1GaN／GaNHEMT的主要高场损伤机制。在理论 上创新地提出了沟道热电子触发和栅电子注入产生缺陷陷阱的耦合模型。论文取 得了以下主要的研究结果： 1、对GaN基H