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多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型研究 中文摘要 多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型研究 中文摘要 本论文针对多晶硅薄膜晶体管 (Thin Film Transistor, TFT) 提出了一个解析的亚 阈值区电流模型，该模型在金属诱导横向结晶和准分子激光结晶两种不同结晶工艺的 器件上得到了验证。 首先，本文澄清了多晶硅TFTs 的亚阈值区电流成分为漂移电流，并首次发现亚 阈值区沟道有效迁移率（effective channel mobility, μ ）遵守Meyer-Neldel rule（MNR ）。 eff 两种不同结晶工艺的多晶硅TFT 器件中提取的特征MN 能量，以及MNR 开始失效 时对应的激活能均接近硅的光声子能量，为MNR 提供了有力依据。在晶粒间界处， 多声子吸收激发载流子以热离化发射越过晶粒间界势垒是MNR 的物理根源。 然后，本文提出了一个解析的多晶硅 TFT 亚阈区值电流模型。澄清了亚阈值区 内的沟道反型过