《模拟电子技术》场效应管放大器与单管放大总结.pptVIP

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  • 2015-12-21 发布于湖北
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《模拟电子技术》场效应管放大器与单管放大总结.ppt

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第二章3 场效应管放大电路 单管放大器总结 场效应管的分类(P49) 按工艺结构分两类:结型和绝缘栅型(MOS) 按沟道材料分两类:N沟道和P沟道 按导电方式分两类:耗尽型与增强型。 共有6类: 结型管只有耗尽型: 结型耗尽型N沟道 结型耗尽型P沟道 绝缘栅型(MOS)既有耗尽型,又有增强型: N沟道耗尽型 N沟道增强型; P沟道耗尽型 P沟道增强型 场效应三极管型号命名方法(两种) 第一种命名方法(与双极型三极管相同): 第三位字母J代表结型场效应管,O代表绝缘栅场效应管。 第二位字母代表材料,D是P型硅N沟道;C是N型硅P沟道。 例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管,3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法(CS××#): CS代表场效应管, ××以数字代表型号的序号, #用字母代表同一型号中的不同规格。 例如CS14A、CS45G等 场效应管的参数 1、IDSS — 饱和漏源电流:栅极电压UGS=0时的漏源电流(结型或耗尽型绝缘栅场效应管) 2、UP — 夹断电压:漏-源间刚截止时的栅极电压(结型或耗尽型绝缘栅场效应管) 3、UT — 开启电压:漏源间刚导通时的栅极电压(增强型绝缘栅场效管) 4、gM — 跨导:栅源电压UGS 对漏极电流ID的控制能力(即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值)。是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、

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