《电子技术基础》教学课件PPT.pptVIP

黄河水利职业技术学院 曾令琴 1、MOS管的基本结构 N+ N+ 以P型硅为衬底 B D G S 二氧化硅(SiO2)绝缘保护层 两端扩散出两个高浓度的N区 N区与P型衬底之间形成两个PN结 由衬底引出电极B 由高浓度的N区引出的源极S 由另一高浓度N区引出的漏极D 由二氧化硅层表面直接引出栅极G 杂质浓度较低，电阻率较高。 N+ N+ 以P型硅为衬底 B D G S 大多数管子的衬底在出厂前已和源极连在一起 铝电极、金属 （Metal） 二氧化硅氧化物 （Oxide） 半导体 （Semiconductor) 故单极型三极管又称为MOS管。 MOS管电路的连接形式 N+ N+ P型硅衬底 B D G S + － UDS + － UGS 漏极与源极间 电源UDS 栅极与源极间 电源UGS 如果衬底在出厂前未连接到源极上，则要根据电路具体情况正确连接。一般P型硅衬底应接低电位，N型硅衬底应接高电位，由导电沟道的不同而异。 正向导通区和反向截止区的讨论 U(V) 0.5 0 0.8 -50 -25 I (mA) 20 40 60 (?A) 40 20 死区 正向 导通区 反向 截止区 反向 击穿区 当外加正向电压大于死区电压时，二极管由不导通变为导通，电压再继续增加时，电流迅速增大，而二极管端电压却几乎不变，此时二极管端电压称为正向导通电压。 硅二极管的正向导通