集成电路工艺基础——01_硅晶体结构.pptVIP

第一章 硅的晶体结构与单晶生长 第一章 硅的晶体结构与单晶生长 1.1 硅晶体结构的特点 1.2 晶向、晶面和堆积模型 1.3 硅晶体中的缺陷 1.4 硅中的杂质 1.5 杂质在硅晶体中的溶解度 1.6 硅单晶生长 1.1.2 原子密度 顶角：1/8 ； 面心：1/2 ；体心：4 一个硅晶胞中的原子数: 8*1/8+6*1/2+4=8 每个原子所占空间体积为：a3/8 硅晶胞的原子密度: 8/a3=5×1022/cm3 锗晶胞的原子密度: 8/a3=4.425×1022/cm3 1.1.3 共价四面体 一个原子在正四面体的中心，其它四个同它共价的原子位于正四面体的顶点，这种四面体称为共价四面体。 最小原子间距：即正四面体中心原子到顶角原子的距离，即晶胞对角线长的四分之一。 1.1.4 晶体内部的空隙 硅原子半径： rsi= =1.17? 硅原子体积: 单位原子在晶格中占有的体积： 空间利用率：硅原子体积/单位原子在晶格中占有的体积 约为34% §1.2晶向、晶面和堆积模型 1.2.1 晶向 晶列：晶格中的原子处在的一系列方向相同的平行直线系上 晶向：一族晶列所指的方向，可由连接晶列中相邻格点的矢量的方向来标记。 晶向指数：[m1,m2,m3];m1,m2,m3