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小尺寸效应对MOSFET器件特性的影响 中刘商要 小尺寸效应对MOSFET器件特性的影响 中文摘要 随着集成电路集成密度的不断增加，金属一氧化物一半导体场效应晶体管 (MOSFET)的特征尺寸越来越小，并且逼近其物理极限。本文主要研究小尺寸效应 对MOSFET的栅漏电流、载流子输运和阈值电压的影响。 在小尺寸MOSFET栅漏电流方面：主要是关注栅氧化层中氧空位缺陷对栅漏电 流的影响，因为氧空位是栅氧化层中影响其可靠性的重要缺陷之一。本文在分析了小 尺寸MOS器件栅漏电流的组成机制及现状的基础上，计算了在栅氧化层中随机分布 的氧空位对栅漏电流的影响。研究表明单个氧空位对栅漏电流的影响随氧化层厚度的 增大而减小，当厚度在特定值以及特定电场下，单个氧空位引起的栅漏电流增加可以 被忽略。 在小尺寸效应对载流子输运的影响方面：本文利用全能带蒙特卡罗方法，对硅能 带的非抛物线性对沟道载流子输运的影响进行了计算。研究表明：能带的非抛物线性 对小尺寸器件载流子输运的影响大，与之对比对大尺寸器件载流子输运的影响则不明 显。这意味着对于小尺寸MOSFET必须考虑硅能带的非抛物线